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利用X射线衍射技术和振动样品磁强计(VSM)研究了巨大晶胞三元化合物Ho117Fe52Ge112的结构与磁性能,测定了外加磁场为0.5T时该化合物的磁矩随温度的变化关系。该化合物具有Tb117Fe52Ge112结构类型,空间群为Fm3m(No.225)点阵参数为a=2.80832(8)nm。在90K到室温的范围内,Ho117Fe52Ge112的磁化率与温度关系服从居里——外斯定律,每个化学式有效磁矩的实验值为ueff=111.25us。测定了室温(300K)时磁矩随外加磁场的变化关系。当外加磁场到2.1T时,该化合物的磁矩约为3.61emu/g,还没有达到饱和状态。 相似文献
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采用可控温、通气氛的杂化微波加热技术,成功合成了Ni3S2、ε-NiS、δ-NiS和NiS2四种化合物.采用XRD和SEM对样品的物相和形貌进行了表征,结果表明此方法容易合成单相的Ni3S2,通过改变烧结条件可获得主相分别为ε-NiS和δ-NiS的样品,合成单相NiS2则比较困难.电磁测量和低温XRD衍射的结果表明,随着温度上升,δ-NiS在260K附近发生顺磁-反铁磁(金属-非金属)转变,同时晶体点阵参数a、c分别减小0.38%和1.4%,在相变温区表现负热膨胀性.Ni3S2单相样品显示顺磁金属性质. 相似文献
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