快离子导体材料特性的正确测定

快离子导体的导电离子种类、导电率、离子输率、分解电压值的正确测定,是综合判定快离子导体性质及其应用前景的重要前提条件。本文在扼要叙述快离子导体特性的测定原理及测定方法的同时,提出实际测定中应注意的若干关键问题。     

晶体形貌学浅议

晶体富于变化的外形,早就引起许多人的注目,在对千差万别的晶体形态进行系统总结后,产生了古典的晶体形态学,此后通过Bravais等的工作,使晶体形态学和晶体构造学联系起来,并不断发展成为完整的科学体系。本世纪五、六十年代,随着半导体材料和激光材料的开拓,人工生长的晶体越来越多,晶体生长理论逐渐发展起来,晶体形态学也随之有了长足的进展,目前,人们不仅仅满足研究晶体长成后的宏观外形,还要研究晶体生长过程中宏观外形的演变,以及界面形态的稳定性和表面的显微形态。这种新的动向引起人们重新探讨晶体形态学学     

固溶体电报材料—钒青铜型结构Li_xV_2O_5的合成与性能研究

以LiVO_3、V_2O_5、V_2O_3为原料,在600℃、氮气氛中经32h固相反应合成的βLi_xV_2O_5(0.3≤x≤0.6),在200～400℃电池电化学反应过程中,其β-钒青铜型结构不变。这说明βLi_xV_2O_5是一种结构稳定的二次电池固溶体电极材料。     

方石英和鳞石英晶体形貌学的探讨

前言晶体形貌是晶体生长全过程的反映。认识晶体形貌的目的,更在于理解晶体的生长机制。晶体的形貌取决于晶体结构及其生长环境两个因素。在平衡条件下晶体不生长也不溶解,常见的晶体形貌一般是在非平衡条件下的阶段产物,可谓之“生长形”。而玻璃结石中的析晶体,正是伴随玻璃生产过程中的产物,这类析晶体的形貌特征,由于     

熔体中多晶体生长——硅锌矿结晶釉的研究

本文除引用一些人所共知的理论以外,基于ZnO含量在21.5%～29.2%(Wt)间的五种以上结晶釉的科学实验数据,取得了五种以上硅锌矿(Z_2S)核化、晶化速度—温度曲线,并归纳总结出釉中Z_2S结晶的Imax、Vmax—ZnO含量关系图,从而提出Z_2S结晶釉中ZnO含量为21%～26%(Wt)最佳值范围。根据结晶釉中晶花生成来源,笔者将晶花分为三种:①由均相核长大的均相晶花;②由定位晶种长大的定位晶花;③由非定位核化载体长大的非定位晶花。实验表明,在上述ZnO含量最佳值范围内,任一合理的硅锌等氧化物系统结晶釉,均可依据并利用其各自的核化、晶化速度—温度曲线,烧制出由上述三种晶花组合而成的多种晶花组合类型产品。就硅锌等氧化物系统结晶釉这一专题而言,笔者的目的是将基础研究与应用研究相结合,应用基础研究成果,指导结晶釉瓷的生产,使釉面晶花的种类、数量、大小等达到人为可控的状态。     

有机材料的电子功能

<正> 当前,光电子学作为电子技术的一个分支,有着蓬勃发展的趋势。有机材料作为新型电子元件用材料或光电子学材料,可望具有比无机材料更为广泛和特殊的性能。又由于有机材料易于成型和加工,可以说它是一种能顺应电子技术新发展的值得重视的功能材料。     

玻璃熔窑中粘土砖蚀变产物—晶体形态及生成机理的研究

玻璃中的结石是在有限的时间内于玻璃熔体中成核,长大的结晶产物,又由于晶体生长时处于熔体的流动→过冷度急剧增大的状态之下,所以结石晶体多呈不完整发育的形态。诸如腔晶、骸晶、树枝晶等。利用编光显微镜薄片法、X光分析、光谱或探针分析,扫描电镜分析对结石物相进行判定并对结石晶体生长形态及机理进行探讨,不但可以弄清结石的来龙去脉,也有助于熔体中多晶体生长理论的探讨。本文主要叙述粘土砖与玻璃熔体的交互作用及粘土砖结石晶体的产出规律,并就晶体形态及生成机理进行探讨。     

双掺Cr,Nd∶ZW晶体的光性、热学和激光性能

生长出Ｃｒ３＋，Ｎｄ３＋：ＺｎＷＯ４（Ｃｒ，Ｎｄ：ＺＷ）单晶，尺寸为２５ｍｍ×５０ｍｍ，研究了Ｃｒ，Ｎｄ：ＺＷ晶体的光学性质、热学性质，测定了其吸收和发射截面，激发态寿命和激光性能。结果表明，双掺有效地改善了激光性能，室温下获得０．９５μｍ单脉冲激光能量输出１．６２ｍＪ，斜效率为０．７９％。     

镁橄榄石瓷显微结构的研究

<正> 镁橄榄石瓷(以下缩写为M_2S瓷)有良好的电、热、力学性能,其热膨胀系数能与金属合金Ti-Ag-Cu或Ti-Ni相匹配,有利于真空封接。小型电子管外壳使用的M_2S瓷,要求其尺寸精度高,气密性好,以利于电子管受热冲击或长期温度变化而保持真空。     

柴窑及柴窑瓷器特征的研究

通过分析四件古瓷器实物的特征及其制作工艺,对前人表述的柴窑瓷器十二字特征作出补充,以期对柴窑瓷器提供较为全面的肉眼鉴定判据。并利用实物证据和考古结果分析论证了柴窑与定窑存在密切关联性,柴窑属于定窑群系。继而推论柴窑遗址应在五代后周政权期的龙泉镇辖域范围内。