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为了获得高性能无铅压电陶瓷材料,本文采用传统固相烧结反应法制备了(1-x)(Ba0.85Ca0.15Zr0.08Ti0.92)-x (K0.5Na0.5NbO3-LiNbO3)(简称(1-x)BCZT-xKNNLN)无铅压电陶瓷并系统地研究了KNN含量的增加,整体电学性能的变化。研究结果表明:制备的无铅压电陶瓷具有纯的钙钛矿结构;当KNN的含量为0.4mol时,晶粒尺寸趋于一致,致密性提高,且达到了最佳的电学性能d33~315pC/N, kp~0.46,εr~1357,tanδ~0.025。当KNN含量超过0.4mol时,整体性能逐渐下降。 相似文献
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采用传统固相合成法制备了(1-x)(0.97Na0.5K0.5NbO3+0.03LiTaO3)+xBiInO3[(1-x)(KNN+LT)+xBI]无铅压电陶瓷, 研究了该体系的晶体结构、压电、铁电与介电性能。结果表明: (1-x)(KNN+LT)+xBI陶瓷的晶体结构在室温下为正交相和四方相两相共存, 随着BI含量的增加, 四方相含量逐渐增多, 居里温度Tc降低, 但是正交四方相转变温度To-t呈现升高趋势, 晶格参数逐渐增大。随着BI含量的继续增加, Bi在高温下的挥发导致氧空位的增多, 从而使材料性能下降。在x=0.0015时得到组分的最佳性能, 其居里温度Tc、相转变温度To-t、压电常数d33、剩余极化Pr、矫顽场Ec分别达到400℃、126℃、160 pC/N、19.26 μC/cm2和7.75 kV/cm。 相似文献
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采用传统的固相反应法将Sn、Ge以不同质量比掺入(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.09Ti0.91-2xSnxGex)O3(x为质量比)无铅压电陶瓷中,研究其相结构、微观组织、介电性能和压电性能的影响。结果表明,Sn、Ge掺入晶体内部后仍为单一的钙钛矿结构,没有明显的第二相产生,但掺杂引起了晶体内部晶格的变化。随着Sn、Ge掺杂量的逐渐增加,其压电常数和机电耦合系数呈现先增大后减小的趋势。当Sn、Ge的掺杂量x-=0.032时,该体系的居里温度最高(为122 ℃)。 相似文献
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以Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr0.41Ti0.59)O3(PNN-PZT)为基础体系,通过对烧结助剂x%CuO(质量比)和y%LiBiO2(质量比)的质量进行调节,对陶瓷样品的相结构、微观组织形貌及电学性能进行了分析,阐述了助烧剂对陶瓷样品性能的影响。结果发现,在温度940~960℃下陶瓷烧结成瓷,且晶粒长大较充分。当x=0.2,y=1时,陶瓷样品的电学性能最优,即此时压电常数d33 =608 pC/N,机电耦合系数kp=0.65,介电损耗tan δ=2.19%,介电常数εr=3 843。采用烧结助剂质量比x=0.2,y=1的粉体制备7 mm×7 mm×36 mm的叠层压电驱动器,然后进行微观组织形貌和位移特性研究。叠层压电驱动器断面微观结构表明,电极层与陶瓷层粘接紧密,无裂缝或间隙产生。位移的测试结果表明,随着电压的增加,位移也在逐渐增加,在驱动电压为... 相似文献