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近年来,由于3G手机的普及和智能手机的出现,推动PCB(Printed Circuit Board,印制电路板)技术不断向前发展,加快HDI类产品的增长需求,尤其是三阶HDI产品将成为3G手机未来的主流,而智能手机则以三阶、any-layer HDI设计为主。这些需求带动HDI技术逐渐向更高布线密度方向发展,线宽线距不断减小,板件结构从1+N+1到stagger-via(交错孔),再到stack-via(叠孔),其制作难度不断加大。因此,对三阶HDI板的制作工艺技术进行研究,掌握叠孔三阶及多阶HDI板制作技术将成为抢占当今市场的关键所在。 相似文献
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印制电路板孔金属化工艺中,孔壁的清洗质量是影响孔金属化的一个重要因素,而对于其清洗效果的定量评价几乎没有合适的指标。利用分形理论研究孔壁形貌的清洗效果,通过应用盒维数法和垂直截面法来定量评价孔壁清洗效果。通过对大量典型形貌的孔壁进行定量计算和统计分析,得出FR-4材质的孔壁分维分布范围为1.0085~1.0884。另外,文中还分析了不同分维值的孔与孔金属化优劣的关系,得出金属化孔的质量随孔壁分维的增大,先增加,再下降的规律特点。结果表明,分维可以作为孔壁清洗质量的一个定量标准。 相似文献
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基于MOS控制晶闸管的高压电容放电特性 总被引:1,自引:1,他引:1
为了研究国产金属氧化物半导体(MOS)控制晶闸管(Metal?Oxide?Semiconductor controlled thyristor,MCT)与高压陶瓷电容组成的电容放电单元(Capacitor Discharge Unit,CDU)的放电特性,设计制备出体积为40 mm(L)×25 mm(W)×8 mm(H)的CDU,其回路电感约10 nH,电阻约100 mΩ。首先分析了CDU回路的R-L-C零输入响应方程,采用CDU负载短路放电实验进行验证,研究发现随着电容值的增大,CDU的峰值电流、峰值电流上升时间、高压电容的放电时间等关键参数均增大;随着放电电压的升高,峰值电流增大,峰值电流上升时间不变。采用微型爆炸箔芯片(Cu桥箔35 mΩ)和硼/硝酸钾(Boron?Potassium Nitrate,BPN)点火药(硼粉/1.50μm,压药密度/1.57 g·cm~(-3))验证了CDU的作用效能,在0.36μF/1.20 kV下,测得回路峰值电流2.032 kA,桥箔两端电压0.9273 kV,峰值电流、电压延迟时间32.4 ns,爆发点时刻168.2 ns,爆发点功率1.490 MW,且CDU能可靠进行BPN的飞片冲击点火。结果表明,基于国产MCT和高压陶瓷电容的CDU基本适用于爆炸箔起爆器等脉冲大电流激发火工品,但其综合性能仍需改进。 相似文献
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充分利用镭射技术取代部分传统Sequential结构的盲孔板,彻底克服不对称压合产生的板弯翘,以及消除外层多次电镀对蚀刻细线路的限制。 相似文献