射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和I-V特性(英文)

用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95％左右,工作气体选用H2＋Ar,氢气的分压控制在31％到70％,同时改变薄膜的沉积时间。Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料。结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的I-V特性进行了研究。     

射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和Ⅰ-Ⅴ特性

用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间.Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料.结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性进行了研究.     

以多孔金电极为传感界面的电化学双标记免疫传感器研究

本实验中制备得多孔金纳米电极,并采用层层自组装技术制作三明治电化学免疫夹心传感器。采用二种不同电位响应的中性红(NR)和硫堇(TH)为电活性标记物,利用循环伏安法(CV)和示差脉冲伏安法(DPV)定量测量,抗原浓度在1～100 ng/mL范围内,成功实现了正常兔和正常鼠的同时免疫检测,为未来多抗原同时免疫检测奠定了理论基础并具有一定的临床实验价值。