用于永久性存贮器Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3薄膜的特性

用磁控射频溅射方法制备了Pb（Zr0．52Ti0.48）O3薄膜。研究了制膜工艺对Pb（Zr0．52Ti0．48）O3薄膜相、结晶性和铁电特性的影响。实验表明，所制备的薄膜表面致密、光滑。此Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜以钙钛矿结构为主，并具有较高的剩余极化、饱和极化和较小的矫顽场。从实验结果分析得，通过控制工艺条件所制得的单相钙钛矿型的Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜的铁电特性得到很大提高。并制备出用于永久性存贮器的优质Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜。     

激光诱导化学气相沉积制备SiC Si3n4超细粉末

利用CWCO_2激光来加热SiH_4和C_2H_4、SiH_4和NH_3的混和气体,使SiH_4和C_2H_4、SiH_4和NH_3发生化学反应,从而得到SiC、Si_3N_4超细粉末.本文所制备的SiC、Si_3N_4超细粉末平均粒径分别为15nm、17nm,并具有颗粒大小均匀、呈球状、分散性较好、纯度高等优点.X射线衍射分析表明SiC、Si_3N_4超细粉末呈非晶态结构.     

纳米SiC—Si3N4复合超细粉末的研制

用热化学气相反应法制备了纳米级ＳｉＣ－Ｓｉ３Ｎ４复合超细粉末，讨论了工艺参数对复合超细粉末颗粒度、组成、结构等的影响，并制备出颗粒呈球形、颗粒尺寸均匀、分散性好、最小颗粒尺寸为８９Ａ的纳米级ＳｉＣ－Ｓｉ３Ｎ４复合超细粉末。     

PZT多层薄膜物性的研究

对磁控溅射PZT铁电多层薄膜进行了分析，结果表明：通过对多层薄膜合理的设计和厚度控制，可以改善薄膜的性能，为进一步的器件应用提供了可能性。通过研究发现。制备多层膜较理想的溅射条件是衬底温度Ts＝650℃，薄膜子层厚度约为300um，衬底则以MgO（100）单晶、SiO2（100）单晶为佳。结构分析的结果显示出：PZT多层铁电膜中的晶粒排列整齐，颗粒大小均匀，基本上和衬底成定向织构，膜的电畴呈180°。通过比较可以发现，子层厚度及总厚度超薄，膜的介电常数越大，弛豫频率也越高。但薄膜总厚度对多层膜的绝缘性能影响不大，这说明薄膜的绝缘性质主要是由金属－铁电薄膜的界面决定的。在不同的电压下，多层膜的传导性能影响肖特基势垒的穿透和Fowler－Nordheim隧穿。     

分形基片上无序金属薄膜的阻-温特性

研究了沉积在具有无规分形结构的α－Al2O3陶瓷基底上的两侧非平整无序Pt和Au薄膜的异常R－T特性。实验结果表明：在12～200K的温区内，当薄膜的方块电阻减小至102～103Ω量级时，基底上的分形结构开始对样品的R－T特性产生明显的影响，电阻温度系数由正向负急剧转化。分析认为，在低温区的此种异常现象是由薄膜中的电子－电子相互作用和电子的弱局域化效应引起的。     

用于永久性存贮器Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜的特性

用磁控射频溅射方法制备了Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３薄膜。研究了制膜工艺对Ｐｂ（Ｚ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３薄膜相、结晶性和铁电特性的影响。实验表明，所制备的薄膜表面致密，光滑。此Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３薄膜以钙钛矿结构为主，并具有较高的剩余极化、饱和极化和较小的矫顽场。从实验结果分析得。通过控制工艺条件所制得的单相钙钛矿型的Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３薄膜的铁电特性得     

铁电多层膜的制备和特性

本文首次对铁电多层膜的制备和其特性进行研究。实验结果表明，铁电多层膜中各子层厚度和制膜时工艺条件的改变对其相结构和铁电特性有明显的影响。铁电多层膜由钙钛矿相和焦绿石相所组成。当多层膜中第一、第三层的厚度为０．１５μｍ时，改变第二层的厚度，当其为０．１５μｍ时，多层膜的铁电特性为最好并且膜中钙钛矿相的含量增大。当第一、二、三层的厚度相同时，改变其厚度到０．１μｍ时，此时多层膜的铁电特性为最好并且钙钛矿相的含量增大。沉积第二层Ｐｂ（Ｚｒ０．４８Ｔｉ０．５２）Ｏ３膜时衬底温度较低时有利于其铁电特性提高，但气体压强对其影响不大。     

纳米SiC－Si_3N_4复合超细粉末的研制

用热化学气相反应法制备了纳米级Ｓｉｃ－Ｓｉ＿３Ｎ＿４复合超细粉末，讨论了工艺参数对复合超细粉末颗粒度、组成、结构等的影响，并制备出颗粒呈球形、颗粒尺寸均匀、分散性好、最小颗粒尺寸为８９Ａ的纳米级ＳｉＣ－Ｓｉ＿３Ｎ＿４复合超细粉末。     

碳化硅超细粉末形核生长过程的研究

用热化学气相合成法制备的超细SiC粉末的组织结构,保留了许多与形核生长过程直接有关的许多特点,为用高分辨电子显微术研究其形核生长过程提供了有利条件。据此,本文讨论了SiC超细粉末形成的主要机制——均相形核生长过程。它可分为5个主要方面:非晶相核的形成;SiC旋涡状生长及受阻;亚稳的SiC旋涡的析晶;聚结;表面非晶SiC的形成。另外,也分析了固态Si上的SiC的异相成核、外延以及固态Si的碳化过程。