W6+掺杂对Na0.5Bi2.5Ta2O9陶瓷的结构与电学性能影响

采用传统固相法制备Na0.5Bi2.5Ta2-xWxO9 (NBTO-x,0≤x≤0.05)无铅压电陶瓷,研究W6+掺杂对NBTO陶瓷结构和电学性能的影响.XRD结果显示,所有陶瓷样品均生成了m=2的铋层状结构化合物,随着掺杂量的增加,样品的正交畸变先减小后增大;W6+掺杂提高了样品的压电与铁电性能,当x=0.03时,...     

锰掺杂对BaBi8Ti7O27无铅压电陶瓷电学性能的影响

研究了MnCO3掺杂对钛酸铋钡BaBi8Ti7O27无铅陶瓷的结构与电学性能的影响,采用常规固体反应法制备了BaBi8Ti7O27-xMnCO3(x=0,0.015,0.03,0.06,0.12,0.16,0.20 wt.％).X射线衍射图显示,所有的成分都是单一稳定相,晶粒生长均匀,片状明显,且随着掺杂量的增加可以观...     

烧结工艺对(NaBi)0.425(KCe)0.075Bi2Ta2O9陶瓷的电学性能影响

采用传统固相法制备(NaBi)0.425(KCe)0.075Bi2Ta209(NBTO-0.075KCe)无铅压电陶瓷,系统分析不同烧结工艺对NBT0-0.075KCe陶瓷电学性能的影响.XRD结果显示所有陶瓷样品均生成了m=2的铋层状结构化合物.随着烧结温度的升高,陶瓷晶粒不断长大.当烧结温度为1150℃时,陶瓷样品...