La基高k栅介质的研究进展

SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义,总结了La基高k栅介质材料的最新研究进展,以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法,指出了有可能成为下一代MOSFET栅介质的几种La基高k材料。La基高k材料的研究为替代SiO2的芯片制造工艺提供优异的候选材料及理论指导,这是一项当务之急且浩大的工程。     

硫酸-甲醇体系钨电解抛光的可行性研究

以硫酸-甲醇酸性体系作为电解液,对钨箔进行电解抛光研究.抛光后钨的表面均方根粗糙度和反射率的测试结果表明,该体系完全适用于金属钨的电化学抛光,对钨的阳极溶解行为进行了分析,讨论了溶液组成、槽电压、温度和搅拌速率对电抛光后钨表面粗糙度的影响.初步确定了金属钨电解抛光的工艺参数为:硫酸与甲醇的体积比1:7,槽电压15～22V,温度15～25℃,搅拌速率10m/s.     

孔雀石和蓝铜矿的局域结构和吸收光谱的研究

在晶体场理论的基础上,采用半自洽场(Semi-SCF)自由Cu2+的d轨道模型和点电荷模型,建立了过渡金属离子矿物晶体的局域结构和吸收光谱之间的定量关系,统一的解释了孔雀石和蓝铜矿的局域结构和Cu2+的不同占位时的吸收光谱,所得理论计算结果与实验值一致,同时在理论上预测了它们的顺磁g因子,这为进一步研究孔雀石和蓝铜矿的结构、光学、磁学、热学及高压等性质提供了理论依据.     

Cu2+:C8N14O6 Zn的局域结构、吸收光谱和电子顺磁共振谱的研究

在晶体场理论的基础上,本文采用半自洽3d轨道模型和3d9电子组态在畸变晶场中的g因子和超精细结构常数A的三阶微扰计算公式,建立了Cu2+:C8N,14O6Zn局域结构与吸收光谱、EPR谱之间的定量关系,统一解释了Cu2+:C8N14O6Zn晶体的吸收光谱和EPR谱,理论结果与实验观测值相符合.     

Ni2CdCl6·12H2O中Ni2+离子的光谱及其局域结构研究

采用晶场参量的叠加模型,建立了结构参数与光谱之间的定量关系;利用完全对角化方法,由光谱确定Ni2CdCl6·12H2O晶体中[Ni(H2O)6]2 络离子在温度为14 K时的局域结构参数,较好地解释了Ni2CdCl6·12H2O晶体中Ni2 离子的局域结构和光学吸收谱;研究结果发现,Ni2CdCl6·12H2O晶体中络离子[Ni(H2O)6]2 的键长为R≈0.2009 nm,键角为θ≈55.1°;所得光谱的理论结果与实验发现很好符合.     

太阳能硅薄膜电池的研究进展

阐述了太阳能电池发电原理和硅系太阳能薄膜电池（单晶硅、多晶硅和非晶硅）的结构、基本原理和特点。介绍了硅系太阳能薄膜电池的发展现状,同时对其优缺点进行了比较,并分析了硅系太阳能薄膜电池的发展前景。     

非晶ErAlO高k栅介质薄膜的制备及性能研究

采用射频磁控溅射法在p型Si(100)衬底上成功制备了非晶Er2O3-Al2O3(ErAlO)栅介质复合氧化物薄膜。研究了ErAlO薄膜的结构及电学特性。XRD测量显示,ErAlO薄膜具有良好的热稳定性,样品经过900℃氧气氛退火30 min后仍保持非晶态结构。AFM照片显示,其表面粗糙度小于0.2 nm,平整度良好。ErAlO栅MOS结构在氧分压为1%时,薄膜的有效相对介电常数为9.5,外加偏压(Vg)为–1 V时样品的漏电流密度为7.5×10–3 A/cm2。非晶ErAlO薄膜是一种很有希望取代SiO2的新型高k栅介质候选材料。     

Z扫描技术及其在材料学中的应用

以材料非线性光学性质的测试为基础,介绍了原始Z扫描技术的基本原理与数据处理;重点论述了双色时间分辨Z扫描技术的理论,并分析了它在材料光学非线性效应测试中展现的优越性以及应该注意的关键问题.根据Z扫描技术理论和实验的最新研究成果,总结了Z扫描技术的两条发展思路,即:CCD相机代替能量或功率计进行信号的采集和多种改进方法应用于实验测试.     

工作气压对磁控溅射Mo膜的影响

采用直流磁控溅射沉积技术在不同工作气压下制备Mo膜,研究了工作气压对Mo膜的沉积速率、表面形貌及晶型结构的影响规律,研究表明:工作气压在0.1～0.5 Pa范围内,沉积速率基本保持不变,在0.5～1.5 Pa范围内沉积速率随工作气压的升高而增大;Mo膜的表面粗糙度随工作气压的升高而增加;不同工作气压下制备的Mo膜为立方...     

溅射法制备TiO2薄膜过程中靶中毒现象的消除及样品表征

用氧脉冲直流反应磁控溅射法,在载玻片衬底上制备了不同初始氧浓度和不同断氧时间％的多晶TiO2纳米薄膜,并对薄膜的厚度、晶体结构及表面形貌进行了研究。研究发现,脉冲式通氧能有效消除靶中毒,将薄膜沉积速率最大提高到3～5nm／min,并且当断氧时间大于30s时,沉积速率在2．5nm／min以上;薄膜的晶体结构和形貌随着氧浓度和断氧时间而变化,在初始氧浓度为30％、断氧时间为30s时,金红石结构样品具有最佳结晶程度,并且薄膜的表面平整、晶粒尺寸分布均匀,而锐钛矿结构的最佳结晶条件是氧浓度30％或50％、断氧时间20s.