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在我国,土木工程结构的应用范围最广,土木结构具有尺寸大、总量轻等特点,这使得土木工程结构存在先天缺陷。土木工程结构在使用中极容易受到环境和非结构构件等因素的影响,在这些因素的作用下,土木工程结构会出现损伤。为了确保土木工程结构的安全,必须要及时的对这些损伤进行识别和诊断,避免因土木工程结构稳定性问题导致质量和安全事故。本文主要分析了土木工程结构损伤的危害及损伤诊断的内涵,并详细介绍了几种损伤诊断方法。 相似文献
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在市场化交易中,计及电价波动信息的风险度量可以帮助市场利益相关者规避风险.为此,结合TGARCH与VineCopula理论,提出一种电价波动分析及风险度量的新方法.该方法用TGARCH建立日前、实时及辅助服务交易电价边缘分布,通过VineCopula拟合各交易电价的多维相依结构.基于得到的相关系数与尾部关系分析各交易电... 相似文献
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麦草浆纤维胞腔加填的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
初步研究了麦草纤维的胞腔加填工艺及对胞腔加填对纸张物理性能的影响。结果表明麦草浆纤维胞腔加填是可行的。加填后纸页光学性能与直接加填相近,强度性能则优于直接加填纸。 相似文献
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谢航 《军民两用技术与产品》2014,(7)
土木工程结构我国工程建设最常用的结构,这种结构和其他结构相比,有其自身特点。如尺寸较大、质量较重等。这些特点使得该结构在使用过程中极容易受到环境状态和非结构构件的影响,从而出现损伤。如果不能及时的识别和诊断这些损伤,将会造成土木工程结构性能的退化,最终会导致质量事故和安全事故的发生。因此,必须要加强土木工程结构的损伤诊断,确保结构完整性。本文主要分析了土木工程结构损伤的危害及损伤诊断的内涵,并详细介绍了几种损伤诊断方法。 相似文献
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采用气压焊对U26Mn奥贝体钢轨和U75V珠光体钢轨混焊进行研究,通过OM、SEM、冲击、拉伸、硬度试验探究异种钢轨气压焊接头焊缝界面的冶金结合特征与力学性能水平。结果表明:气压焊接头焊缝界面两侧存在元素扩散行为,焊缝界面金属在热机循环作用下发生了交互结晶和再结晶,冶金结合良好(除轨底脚外);焊态接头平均强度达到贝氏体钢轨母材的86%,正火态接头平均强度达到贝氏体钢轨母材的90%;焊态接头轨顶面平均硬度、软化区平均硬度及宽度均满足TB/T1632《钢轨焊接》标准要求;接头中存在硫化物夹杂,对接头冲击韧性有较大影响。 相似文献
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利用链霉菌ST菌株发酵生产腐植酸。在蔗渣发酵培养基的基础上,采用一次回归正交试验,对腐植酸发酵过程中接种量(I)、通气量(搅拌次数,A)、温度(T)及时间(D)4个因素对腐植酸产量的影响情况进行分析。结果表明发酵时间的影响最为显著,接种量影响显著;所得到的回归方程有效且可信度高,回归方程为y=6.0356+0.0250I+0.0033A+0.0069T+0.2425D,其中各因素均与腐植酸产量呈正相关性。该回归方程为腐植酸生产过程链霉菌ST菌株发酵条件的控制提供了很好的指导作用。 相似文献
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本研究采用BiScO3组分对固相烧结工艺制备的(1-x)(Bi0.5Na0.5)0.935Ba0.065TiO3-xBiScO3(BNBT-xBS)无铅陶瓷进行改性, 考察了BiScO3掺杂含量对陶瓷的微观结构、储能、场致应变和介电等性能的影响。结果表明: 随着BiScO3掺杂含量的增加, BNBT-xBS陶瓷的相结构由三方相与四方相共存演变为伪立方相, 无杂相形成, 且平均晶粒尺寸略有增大; BiScO3组分的引入破坏了BNBT陶瓷铁电畴的长程有序, 表现出弱极化, 且伴随有铁电相到弛豫铁电相的相变过程。BiScO3组分提高了储能和应变性能, 在70 kV/cm电场下其最大储能密度为0.46 J/cm3, 电致应变达到0.25%。介电常数随着掺杂含量的增加逐渐降低, 其介电行为也表明陶瓷具有弛豫铁电体特征; BNBT-xBS陶瓷表现出负温度系数效应, 且在450℃以下具有较好的绝缘性。 相似文献
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采用溶胶-凝胶及快速退火工艺在p+-Si上制备了Bi掺杂SrTiO_3薄膜,构建了Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si结构阻变器件,研究了Bi掺杂量对薄膜微观结构、器件阻变行为及特性的影响。结果表明:Bi掺杂量较低时并未改变Sr_(1-x)Bi_xTiO_3薄膜的相结构,但随着掺杂比例的增大,晶粒尺寸也明显增大,当掺杂量x=0.16时,有Bi4SrTi4O15及TiO2相形成;不同Bi掺杂量的Ag/Sr_(1-x)Bi_xTiO_3/p+-Si器件均呈现出双极性阻变特性,且有明显的多级阻变行为。随Bi掺杂量的增加,器件的阻变性能逐步提高,当x=0.12时器件的高、低阻态电阻比值最大,达到105左右,并且在2 000次可逆循环测试下,高、低阻态电阻比未出现衰减,表现出良好的抗疲劳特性,但当掺杂量x达到或超过0.16后,器件的性能呈下降趋势。Bi掺杂量的增大会导致器件高阻态时的导电机制从空间电荷效应(SCLC)导电机制(x0.16)转变为肖特基势垒发射(x=0.16)。器件在低阻态下均遵循欧姆导电机制。 相似文献