反蛋白石结构光子晶体及其应用的研究

反蛋白石结构光子晶体因具有完全光子带隙、制备材料广泛、特殊的周期结构、大的比表面积和连通的孔洞结构,近年来在自发辐射的调制、提高光催化反应速率和染料敏化太阳能电池反应速率等领域成为研究热点之一,并且在光、电、催化、传感、显示、检测等领域有着巨大的应用价值。介绍了反蛋白石结构光子晶体的基本概念及制备方法,阐述了反蛋白石结构在材料自发辐射的调制、能量传递的调制、促进物理化学反应、外界环境响应材料等方面的作用及其应用。     

脉冲电流加热条件下原子的扩散研究

脉冲电流热加工(pulse electric current heat treatment,PECHT)具有低温、快速的特点。研究了脉冲电流烧结过程中温度和脉冲比对Fe烧结体性能的影响,并与相同温度、压力和保温时间下辐射加热热压烧结的Fe烧结体进行了比较。结果表明：脉冲电流烧结在较低温度下样品就能获得更高的致密度。脉冲比(ON／OFF)对烧结有很大影响,说明脉冲电流加热促进了颗粒之间的原子扩散。同时,脉冲电流加热烧结和辐射加热烧结过程中Al2O3和Cu的收缩曲线也为脉冲电流加热条件下扩散加强提供了佐证。2种加热条件下接触线之间原子扩散的研究表明：脉冲电流加热促进了原子的扩散。     

纳米微晶结构氧化锌中激子发光的研究进展

由于ZnO具有大的激子束缚能,有利于在室温下获得高效稳定的紫外辐射.因此,对ZnO激子发光的研究极有希望解决半导体照明、紫外半导体激光器等多种技术面临的瓶颈问题.综述了ZnO中激子的典型光致发光谱、激子的结构及复合发光过程.重点介绍了温度、激发功率、量子限域效应以及激光辐照等因素对ZnO激子发光的影响.     

扩散焊接异种金属及陶瓷/金属的研究进展

扩散焊接作为一种新颖的焊接技术之一,在异种材料的连接领域得到了广泛应用.本文在综述扩散焊接原理和特点的基础上,着重介绍了扩散焊接在异种金属、陶瓷/金属异种材料连接中的应用及研究现状.     

LBO晶体上1064 nm,532 nm二倍频增透膜的设计及误差分析

采用矢量合成法设计了LiB3O5(LBO)晶体上1064 nm,532 nm二倍频增透膜,在1064 nm处的反射率为0.0014%,532 nm处的反射率为0.0004%。根据误差分析,薄膜制备时沉积速率精度控制在 6.5%时,1064 nm处的反射率增加至0.22%,532 nm处增加至0.87%。材料折射率的变化控制在 3%时,1064 nm处的反射率达0.24%,532 nm处达0.22%。沉积速率和折射率控制的负变化不增大特定波长处的剩余反射率。与膜层折射率相比,薄膜物理厚度对剩余反射率的影响小。低折射率膜层的厚度变化对特定波长处的剩余反射率影响最明显,即为该膜系的敏感层。为改善膜基之间的附着力,选择Y2O3或SiO2作为过渡层,从过渡层的厚度匹配和膜层的折射率匹配两方面进行了相应的膜系匹配设计。     

放电等离子烧结过程温度场及原子扩散

对放电等离子烧结不同材料过程中的温度场进行了理论分析和实验研究,发现在一定条件下样品内出现较大的温差,控制工艺参数可以降低温差.对放电等离子烧结过程中材料界面和颈部的原子扩散过程进行了研究,并与相同工艺条件下辐射加热烧结进行比较,表明放电等离子烧结过程促进了原子的扩散.     

石英晶体监控膜厚仪的发展与应用

石英晶体振荡监控光学薄膜厚度是直接监控光学薄膜物理厚度的方法，与工作波段无关，设置简单，各种厚度皆可控制．易于实现自动控制，将会越来越广泛地应用在光学薄膜厚度监控中。本文首先介绍了石英晶体监控膜厚仪监控光学薄膜厚度的原理，然后讨论了石英晶体监控仪的发展和晶振片的稳定性。     

利用分光光度计测量光学晶体的折射率

晶体折射率的准确测定是晶体上薄膜器件设计的基础。介绍了利用分光光度计测量晶体折射率的方法，通过背面影响系数法、背面镀增透膜和将两者结合起来的方法消除晶体反射率测量时背面反射带来的影响，给出了具体的步骤并对测量误差进行了分析。由于晶体的光学各向异性，采用起偏器扫描的方法测量晶体光学性质随方向的变化。通过对LiB3P5晶体的折射率的测量，证实了该方法的可行性并可用于其他光学晶体折射率的测量。     

全固态激光器用晶体镀膜的研究进展

全固态激光器(DPL)作为新一代的优质相干光源,具有广阔的应用前景。全同态激光器中使用的大量晶体给晶体镀膜的研究与发展提出了挑战。重点介绍了DPL用晶体镀膜的研究进展以及存在的问题,并对晶体镀膜的未来进行了展望．     

P型ZnO薄膜制备和掺杂的研究进展

ZnO作为第三代半导体功能材料,一直受到国内外的广泛关注.高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键.综述了获得p型ZnO薄膜的制备方法和掺杂技术的研究进展,讨论了目前生长高质量的p型ZnO薄膜存在的困难,并对不同方法制备的p型ZnO薄膜的特点进行了比较分析.