热解法合成增强光催化活性的In2O3-TiO2纳米管

通过热解法分解InCl_3形成In_2O_3并均匀沉积于通过阳极氧化法制备的TiO_2纳米管(TNAs)表面,并通过光催化降解罗丹明B(RhB)来测试In_2O_3-TNAs的光催化活性。结果表明,复合In_2O_3后TNAs的光催化活性显著提升。此外热解沉积工艺简单、成本低,有利于光催化剂的批量、工业化生产,为金属氧化物半导体的沉积提供了新思路。     

光还原法制备增强光催化性能的Bi-TiO_2纳米管

采用阳极氧化法及简易光沉积法制备了一种Bi-TiO_2纳米管(Bi-TNAs)光催化剂,并对其形貌、晶相以及光吸收性能进行表征。结果显示,薄片状的金属相Bi微米片成功沉积在TiO_2纳米管阵列表面。光催化降解罗丹明B实验显示,Bi-TNAs的光催化降解性能比TNAs显著增强。单质Bi微米片作为电子陷阱可捕获TiO_2的光生电子,延长载流子寿命,降低电子-空穴复合速率,增强TNAs光催化降解罗丹明B的活性。