Bi2O3-SiO2系统的相关系和析晶行为的研究进展

本文介绍了Ｂｉ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统的研究进展。首先对该系统的稳定相平衡和亚稳定相平衡进行了综述，然后讨论了该系统中化合物Ｂｉ１２ＳｉＯ２０、Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２和Ｂｉ２ＳｉＯ５的结构、性能、生长、应用等方面的情况，预计Ｂｉ２ＳｉＯ５将成为一种有前途的新功能晶体。     

氟化物激光晶体Nd3+:LiYF4的坩埚下降法生长

本文报道了氟化物激光晶体Ｎｄ＾３＋：ＬｉＹＦ４的坩埚埚下降法生长工艺,采用经氟化处理的无水氟化物原料,按照ＬｉＦ：ＹＦ３＝５１５：４８．５的比例配料,控制炉体温度于９２０－９６０℃,晶体生长速度为０．４－０．８ｍｍ／ｈ,通过密闭条件下的坩埚下降法生长出尺寸为φ２５ｍｍ＊８０ｍｍ的完整单晶。     

Bi_2O_3-SiO_2系统的相关系和析晶行为的研究进展

本文介绍了Bi2O3－SiO2系统的研究进展．首先对该系统的稳定相平衡和亚稳定相平衡进行了综述，然后讨论了该系统中化合物Bi12SiO20、Bi4Si3O12和Bi2SiO5的结构、性能、生长、应用等方面的情况，预计Bi2SiO5将成为一种有前途的新功能晶体．     

Bi2SiO5的亚稳定相平衡的研究

通过ＤＴＡ和ＸＲＤ研究了Ｂｉ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统及其化合物Ｂｉ２ＳｉＯ５（１：１相）的亚稳定平衡，发现亚稳和Ｂｉ２ＳｉＯ５的析晶温度大约为８４５℃，在Ｂｉ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统的广泛区域内（ＳｉＯ２摩尔比数大于３０％）熔体冷却时易于自发成核析出Ｓｉ２ＳｉＯ５相，并且该相在进一步冷却时无其它相变产生，直到室温下也可稳定存在。     

赝二元系CaF2-LiAlF4相图

通过差热分析（ＤＴＡ）和Ｘ射线粉末衍射（ＸＲＤ）方法研究了赝二元系ＣａＦ２－ＬｉＡｌＦ４的相平衡关系,该赝二元系在ＣａＦ２：ＬｉＡｌＦ４为１：１处形成一致融熔化合物ＬｉＣａＡｌＦ６,其熔点为８１４℃,并分别在ＬｉＡｌＦ４摩尔分数为８８％主４４１％处出现两个共晶点,其共昌温度分别６９２℃和７８３℃,对照该体系的相图,按摩尔比ＬｉＦ：ＣａＦ２：（ＡｌＦ３＋ＣｒＦ３）＝１：１：１的组成配料,采用密闭条件     

无机闪烁晶体的生长技术

综述了无机闪烁晶体的提拉法，下降法，热交换法，浮区法等生长技术，其中最常有和的最前两种方法。同时就某些典型的闪烁晶体讨论了上述生长技术的优缺点。     

过渡金属元素(Fe与Cr)掺杂Bi4Si3O12晶体闪烁性能的研究

本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi₄Si₃O₁₂及Fe、Cr掺杂Bi₄Si₃O₁₂晶体．测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发一发射光谱．总结并解释了掺杂影响Bi₄Si₃O₁₂晶体闪烁性能的规律．     

Bi2O3-SiO2系统相图的研究

本文通过DTA和XRD研究了Bi2O3－SiO2二元系稳定相平衡和亚稳定相平衡，并绘制了该系统完整的相图，发现在稳定相图富SiO2一侧存在包晶反应L＋SiO2Bi4Si3O12，包晶等温线大约在1030℃，Bi4Si3O12确定为近一致熔融化合物，并且用淬火微结构的方法确定了包晶反应的液相线．在Bi2O3－SiO2系统的亚稳定相平衡中研究了它的析晶行为，亚稳定相Bi2SiO5冷却时在845℃左右析晶．     

四硼酸锂晶体的声表面波应用

介绍了新型压电晶体四硼酸锂的压电和声表面波特性，讨论了四硼酸锂晶体基片声表面波器件的制作工艺，总结了近年来四硼酸锂晶体压电器件的研究成果。     

过渡金属元素(Fe与Cr)掺杂Bi4Si3O12晶体闪烁性能的研究

本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi₄Si₃O₁₂及Fe、Cr掺杂Bi₄Si₃O₁₂晶体．测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发一发射光谱．总结并解释了掺杂影响Bi₄Si₃O₁₂晶体闪烁性能的规律．