SnO2纳米薄膜的溶胶-凝胶法制备及气敏性能

以SnCl2·2H2O和无水乙醇为原料制备SnO2透明溶胶,通过浸渍法在云母基片上制备了SnO2纳米薄膜.利用XRD和AFM手段研究了薄膜的结构和形貌,结果表明,SnO2纳米薄膜的球形粒径约为15nm;随着薄膜沉积层数的增加或工作温度的升高,薄膜电阻逐渐减小.气敏特性研究表明,薄膜对H2有较好的敏感性.     

托克托电厂高铝粉煤灰化学分析

粉煤灰综合利用是我国煤炭行业一件大事,而粉煤灰成分决定了其利用领域,同时对工艺参数设计起决定作用。针对托克托高铝粉煤灰提出一种检测高铝粉煤灰成分的化学分析方法,为粉煤灰提取氧化铝工艺改良提供科学依据。     

掺Ni2+金红石型SnO2纳米粒子的制备及表征

采用化学共沉淀法制备掺Ni2+的SnO2纳米粉体。研究表明,不同pH下得到的样品均为四方相金红石型结构的SnO2,在pH=5时,Ni2+的利用率出现极大值99.97%;升高煅烧温度或延长煅烧时间,样品结晶程度都会随之增高,同时晶粒尺寸也呈现增大的趋势;所得样品呈球形,粒径约为60 nm。将掺Ni2+的SnO2粉体涂于白云母表面制成元件,测试粉体的电性能以及气敏性能,结果表明,在温度由30℃上升到150℃的过程中,元件电阻从33.1 kΩ近似线性地降低到4.8 kΩ;H2体积分数越大,元件对其敏感程度越高。     

6061铝合金组织与性能研究现状及科研思路探讨

6000(Al-Mg-Si)系铝合金是可热处理强化铝合金,热处理后具有较好的综合性能,广泛应用于汽车船舶、航空航天等多个领域。6061铝合金作为该系合金的一种,备受研究者的关注。综合叙述近些年针对6061铝合金组织和性能研究的现状,并根据现代材料分析方法的发展,提出利用高分辨投射电子显微技术、几何相位分析技术等,研究铝合金中GP区和亚稳沉淀相结构,应变场对铝合金力学行为的影响机理、铝合金的强韧化机制等科研思路。     

Pd掺杂SnO_2纳米膜的制备及H_2敏感性能研究

以分析纯SnCl2.2H2O和PdCl2为主要原料,控制不同n(Pd2+)/n(Sn2+),利用溶胶凝胶-浸渍提拉法制备了Pd掺杂SnO2纳米膜。用XRD、AFM对样品的结构、形貌进行了分析,并测试了Pd掺杂SnO2纳米膜的阻温特性和对H2敏感性能。结果表明,Pd掺杂SnO2纳米膜平整而致密,表面椭球形粒子颗粒尺寸约为20nm;Pd掺杂SnO2为金红石型晶体结构,但Pd2+进入SnO2晶格代替八面体中部分Sn4+,导致其晶胞参数比未掺杂SnO2略小;Pd掺杂SnO2纳米膜的电阻随温度升高而减小,表现出n型半导体阻温特性;随着Pd掺杂比例的增大,元件的电阻增大,其对H2的灵敏度先增大后减小,当掺杂比例为1%时对H2灵敏度最高。     

pH值在掺Ni纳米SnO2粉末制备中的作用

以SnCl4·5H2O、NiCl2·6H2O、氨水为主要原料,采用化学共沉淀法制备纯的及掺Ni的SnO2纳米粉体.针对重要的影响因素pH值运用原子吸收光谱、XRD、FT-IR等手段进行分析.XRD和FT-IR分析结果表明,pH在1.5～10之间均可合成SnO2;晶粒尺寸随着pH值的增大无显著改变.通过对掺Ni的Sn(OH)4胶体滤液中Ni元素的原子吸收光谱分析可知,pH值严重影响着杂质Ni的掺入量,Ni2 掺入率在pH=8时出现极大值为99.97%.     

(Sn_(1-x),Ni_(2x))O_2纳米颗粒膜的制备及半导体性能

为提高SnO2的半导体性能,以分析纯SnCl2.2H2O和NiCl2.6H2O为主要原料,控制不同n(Ni2+)/n(Sn2+),利用溶胶凝胶-浸渍提拉法制备了(Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜及半导体元件。用XRD、AFM对样品的结构、形貌进行了分析,并测试了(Sn1-x,Ni2x)O2元件的半导体性能。结果表明,(Sn1-x,Ni2x)O2纳米颗粒膜表面椭球形颗粒排列致密,尺寸约30 nm,(Sn1-x,Ni2x)O2为金红石型结构,但Ni2+代替了SnO2晶格中的部分Sn4+,使其晶胞参数a轴长平均减小0.000 4 nm,c轴长平均减小0.000 3 nm;随n(Ni2+)/n(Sn2+)由0.006增大到0.03,(Sn1-x,Ni2x)O2的晶粒尺寸由约45 nm减小至约18 nm;随温度由30℃上升至150℃,n型(Sn1-x,Ni2x)O2半导体元件的电阻约减小至其10%,而纯净SnO2元件的电阻仅约减小至其15%;随n(Ni2+)/n(Sn2+)的增大,离子化杂质散射增强,(Sn1-x,Ni2x)O2内部载流子迁移率下降,元件在150℃左右的电阻也由4.8 kΩ增大至12.1 MΩ,提高了元件的半导体性能。     

均匀共沉淀法制备掺锡α-Fe2O3粉体及其气敏性能研究

采用分析纯Fe2(SO4)3和NH3·H2O为主要原料,控制不同的Fe3 浓度、Sn4 : Fe3 、溶液pH值及烧结温度,利用均匀共沉淀法制备了掺锡α-Fe2O3粉体,并用厚膜工艺将粉体涂于云母基片上制成了高灵敏度甲烷气敏元件.利用XRD对粉体成分及结构分析后发现,部分Sn4 以类质同象的方式代替了α-Fe2O3晶格中的Fe3 ,改变了α-Fe2O3的晶胞参数;通过测试元件在不同温度下对800×10-6甲烷的气敏性能,结果表明,掺锡提高了α-Fe2O3的气敏性,且得到了制备掺锡α-Fe2O3甲烷气敏材料的最佳参数.