磨加工及残余应力对氮化硅陶瓷强度的影响

利用X-射线衍射方法测量了经不同磨削的氮化硅陶瓷表面残余应力及其对抗弯强度的影响。结果表明，磨削工艺所引入的残余应力是拉应力，对陶瓷抗弯强度有显著降低。     

氮化硅陶瓷的残余应力和抗弯强度特性

利用X射线衍射方法测量了经不同磨削的氮化硅陶瓷表面残余应力及其对抗弯强度的影响。结果表明 ,磨削工艺所引入的残余应力是拉应力 ,显著降低陶瓷抗弯强度。     

氮化硅常压烧结研究进展

本文着重论述了氮化硅陶瓷常压烧结过程中助烧剂的选择、烧结机理和高温性能的改善方面的研究进展。     

陶瓷的封接技术及研究进展

介绍了陶瓷与金属连接的主要类型和种类,对各种连接方法的机理、特点和影响因素进行了重点介绍。     

Al2O3-TiC复相陶瓷表面残余应力的研究

本论文应用4种不同的工艺对Al2O3-TiC复相陶瓷进行表面处理,以改变其表面残余应力分布状态。利用扫捕电子显微镜(SEM)观察试样的表面形貌;采用非破坏性的X射线衍射法,对不同工艺条件下的残余应力进行测试研究。结果表明：在本研究条件下,经平面磨处理后．试样表面处于拉应力状态;经工具磨处理后,试样表面处于压应力状态;经抛光处理后,残余应力值均有所减小、这对于提高陶瓷材料的强度和耐磨性具有重要的意义。     

Si3N4-MgO-CeO2陶瓷烧结中的致密化与自动析晶

用等离子放电烧结的方法制备了Si3N4-MgO-CeO2陶瓷，用排水法测定了密度，用X射线衍射的方法测定了物相变化。发现在烧结过程中，高于l450℃时,MgO-CeO2就会与氮化硅粉末表面的SiO2反应形成硅酸盐液相，促进烧结致密化，冷却后形成玻璃相留在晶界，氮化硅的致密化在l500℃接近完成。但高于l550℃烧结，MgO反而会析晶，提高氮化硅陶瓷的高温性能。     

半芳香族聚酰胺6T/6I/6的合成及其非等温结晶动力学研究

采用成盐、高温溶液缩聚两步法成功制备了半芳香族聚酰胺（PA）6T/6I/6。通过傅里叶变换红外光谱（FTIR）、氢核磁共振（¹H⁃NMR）分析了其分子链结构,并对其力学性能进行了测试表征,利用差示扫描量热法（DSC）对PA6T/6I/6的非等温结晶动力学进行了研究,使用Jeziorny法、Oazawa法和莫志深法修正的Avrami方程分别分析了PA6T/6I/6的非等温结晶行为。结果表明,通过Jeziorny法处理发现结晶过程分为主期结晶和次期结晶2个阶段,主期结晶阶段Avrami指数在1.08~1.09之间,晶体为异相成核,呈一维针状生长,次期结晶阶段Avrami指数在2.13~2.21之间,晶体为二维片状生长方式;Ozawa法处理曲线相关性低,表明不适用于描述PA6T/6I/6的非等温结晶过程;莫志深法修正的Avrami方程能较好地描述结晶过程,a值在0.89~0.90之间,F（T）值在7.24~15.85之间;采用Kissinger方程计算求得PA6T/6I/6的非等温结晶活化能为-294.17 kJ/mol。     

Si3N4陶瓷常压烧结研究进展

论述了Si3N4陶瓷常压烧结过程中助烧剂的选择，烧结机理和高温性能改善方面的研究进展。     

Si_3N_4陶瓷常压烧结研究进展

论述了Si3 N4陶瓷常压烧结过程中助烧剂的选择 ,烧结机理和高温性能改善方面的研究进展     

SiO2-MgO-CeO2烧结过程中的相变

对SiO2一MgO—CeO2体系在1250～1750℃进行常压烧结，并用XRD进行了相分析。结论是，对Mg元素而言，在高温下，当原料中MgO含量较高时，Mg元素以MgO和硅酸盐晶体存在；当原料中的MgO含量较低时，总是以硅酸盐的形式存在；对Ce元素而言，在烧结温度较低时，Ce元素主要以晶体形式存在；在烧结温度较高时，Ce元素主要以硅酸盐的形式存在，始终没有CeO2析出。