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研究了MgO—Y2O3—Al2O3体系(相应的层状复合陶瓷试样记为A)、Y2O3—Al2O33体系(相应的层状复合陶瓷试样记为B)及La2O3—Y2O3—Al2O3体系(相应的层状复合陶瓷试样记为C)烧结助剂对Si3N4/BN层状复合陶瓷结构与性能的影响.研究表明:在相同的烧结工艺下,试样A、B、C的抗弯强度分别为700、630、610MPa,断裂功分别为2100、1600、3100J/m^2.试样A、B以脆性断裂为主,裂纹偏转现象不明显,而试样C的载荷-位移曲线显示了明显的“伪塑性”特征,裂纹的偏转与扩展现象明显.试样A中Si3N4晶粒大小不均且长径比较小,而试样C中长柱状Si3N4晶粒发育完善,有较大的长径比. 相似文献
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莫来石晶种对反应烧结ZrO2/莫来石复相陶瓷显微结构的影响 总被引:2,自引:2,他引:2
通过显微结构观察研究了莫来石晶种对反应烧结ZrO2/莫来石复相陶瓷显微结构的影响。研究结果表明:与不含晶种试样相比,添加Ma(d50=1.87μm)和Mb(d50=0.83μm)晶种试样的显微结构比较均匀,莫来石晶粒多呈等轴状,且大小均一,晶内型ZrO2和封闭气孔较少。添加晶种对莫来石晶粒有明显细化作用。但晶种添加量和晶种颗粒尺寸对反应生成莫来石的晶粒尺寸无明显影响。采用溶胶-凝胶法制备的莫来石晶种(Mc)使试样中长出了一定量的长柱状的莫来石晶粒。 相似文献
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Al2O3/Ti3SiC2层状复合材料的制备与性能 总被引:4,自引:0,他引:4
采用两种方法制备Al2O3/Ti3SiC2层状复合材料,一是原位-热压法,即Ti3SiC2是在层状材料的制备过程中同时被合成的;一是分步法,即制备过程分两步进行,首先制备出Ti3SiC2高纯粉,再采用热压法进行烧结制备层状材料。两种方法制备的Al2O3/Ti3SiC2层状复合材料强度保持在450MPa以上,断裂功达到1200-1560J/m^2,相对Al2O3块体材料提高十余倍。另外,不同的制备方法得到不同的组成和显微结构,决定了这两种Al2O3/Ti3SiC2层状复合材料性能的差异:前者强度较高韧性较低,后者强度较低而韧性较高。 相似文献
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对影响氧化铝陶瓷介电性能(介电常数、介电损耗和介电强度)的各种因素进行了较为系统的评述,并对相应的影响机理进行了分析和探讨.希望能为电真空用氧化铝陶瓷的质量控制和检验提供理论依据,同时也为工艺方法(包括材料工艺和电真空器件工艺)的选择提供有益的技术参考. 相似文献
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为了降低材料的二次电子发射系数,本文对高导电无氧铜(OFHC,简称无氧铜)进行离子束表面改性处理,并研究其最优工艺条件,重点考查了温度、时间等工艺参数对表面形貌以及二次电子发射系数(δ)的影响。利用扫描电镜、能谱仪等对表面形貌及成分进行分析并在此基础上对改性后样品的表面形貌形成机理进行了初步探讨。实验得出最佳工艺为:在600℃下离子束改性处理1 h。该参数下处理的无氧铜样品的二次电子发射系数降低63.5%。 相似文献
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各向同性热解石墨作为一种新型的碳素材料由于具有许多优良的性能,而适宜制作真空电子器件的零部件。本文采用真空离子镀技术对其实现了表面金属化,并对金属化层从膜厚、组分、结合强度以及AgCu 焊料的润湿性方面进行了性能分析。结果表明:真空离子镀CrNi 层的力学性能良好,AgCu 焊料在其表面的润湿性能良好。 相似文献