WO3-PEO(聚环氧乙烷)溶胶-凝胶过程及表征

为提高WO3电致变色薄膜的循环使用寿命，采用过氧钨酸法将具有高离子电导率的高分子聚合物聚环氧乙烷与氧化钨复合，制备了相应的溶胶、凝胶与薄膜，利用XRD、FT—IR和TEM分析方法研究了体系的溶胶凝胶过程，并结合胶体化学原理讨论了制备条件对相应溶胶稳定性的影响。结果表明：醋酸与钨酸凝胶形成的较强相互作用，影响钨酸的溶胶凝胶过程；PEO在溶胶形成过程中对溶胶簇团的交联起导向作用；COOH^-离子对扩散双电层的影响和PEO的空间位阻效应使溶胶稳定。     

纳米TiO2薄膜光催化降解罗丹明B的研究

本文采用sol-gel法制备了TiO2溶胶,以载玻片作为底材,用提拉法镀膜,经高温热处理后得到了TiO2纳米晶薄膜。采用XRD、SFM研究了薄膜的物相及其结构特征,UV-vis研究了薄膜的光吸收特性,以罗丹明B溶液作为目标反应物,研究了溶胶的浓度、pH值以及热处理气氛对TiO2薄膜光催化性能的影响。     

湿法和干法刻蚀相结合提高微细线条的刻蚀精度

在薄膜微波基板的光刻过程中，材料刻蚀工艺是其关键工序。本文以实验为基础，比较了不同腐蚀方法对微细线条的腐蚀效果，实验结果表明：湿法腐蚀和干法刻蚀相结合的腐蚀方法与单一使用湿法腐蚀或干法刻蚀相比较，前一种方法对微细线条的腐蚀效果更好。通过将两种腐蚀方法结合，并优化相关的工艺参数，较好地控制了腐蚀过程中的钻蚀现象，成功的制作出了最小线宽为20μm的线条。     

TiO2半导体薄膜电极的光电转换性能研究

介绍了TiO2半导体薄膜电极的光电转换原理,综述了近年来通过染料敏化、窄半导体敏化、过渡金属离子掺杂敏化、有机染料和无机半导体复合敏化以及在TiO2半导体表面沉积贵金属等提高TiO2薄膜电极光电转换效率的方法,并对其原理进行解释和说明。     

薄膜光刻工艺参数的优化

光刻工艺涉及复杂的光化学反应和物理过程，在理论上优化各工艺参数非常困难。本文通过大量实验，对甩胶、前烘、曝光、显影、坚膜等影响光刻图像质量的工艺进行研究，得到了比较优化的工艺参数。即在5500～6500rpm的转速下甩胶20～30s，取得较均匀的光刻胶膜后，在80～90℃下前烘20～30min，再经过30-50mW／cm^2的曝光和20s的显影，最后经过15-25min的100～130℃坚膜，可得到较好的光刻图形。