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利用正电子湮没方法对CdSe单晶中的缺陷进行了研究,通过对不同温度下退火样品正电子湮没寿命的测试分析,表明:在CdSe晶体中存在的点缺陷主要是占优势的镉空位。由正电子湮没寿命和退火温度的关系,研究了硒化镉单晶退火时空位的迁移、合并及消失情况,确定出能减小生长中形成的空位性缺陷浓度并获得较为完整的晶格的最佳退火温度范围为650~800℃。 相似文献
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描述了稀土矿湿法生产过程中放射性核素的迁移规律,并对四川省冕宁稀土矿湿法分离工艺进行分析研究。结果表明,稀土湿法冶炼过程中大部分放射性钍富集在废渣和产品中,仅有1.03%的钍粉尘排入大气,0.27%的放射性钍进入废水。对排入环境中的气载和液载放射性钍的辐射剂量进行了计算,其结果分别为6.02×10-2 mSv·a-1、1.43×10-2 mSv·a-1,该值低于公众个人剂量基本限值(1mSv·a-1),工作人员个人最大有效剂量为7.67×10-2 mSv·a-1 相似文献
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通过变温(20~300K)霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ(T)、载流子浓度n(T)、霍尔系数RH(T)和霍尔迁移率μH(T)的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似.通过拟合禁带宽度约为1.7eV.本文还进一步研究了本征区、饱和区、弱电离区内电子浓度的变化和霍尔因子γ随温度变化关系,并由此计算出杂质电离能(24.7meV)与补偿度(23.7%).上述结果表明CdSe单晶体具有优良的电学特性,是制作室温核辐射探测器的理想材料. 相似文献
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报道了在^60Coγ辐照下二茂铁高分子磁体/M型六角晶系铁氧体复合物(简称OPM/M型)辐照剂量、组分配比、温度对复合物电磁参数的影响,并用IR差示光谱、SEM(电子扫描显微镜)研究了辐照剂量对复合物的降解与交联之影响。研究表明,适当的辐照剂量及组分配比可控制复合物的电磁参数,并有可能获得一种用于0.1—12GHz下的轻质和良好吸波特性的新型吸波剂。 相似文献
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