立方相GaN的持续光电导

研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 .     

(ZrAl3+ZrB2)/Al复合材料的制备和微观组织结构

采用混合盐反应法,以KBF4和K2ZrF6粉剂为原料在铝熔融体中制备了(ZrAl3 ZrB2)/Al复合材料.借助于X射线衍射仪、电子探针和透射电镜对复合材料的物像和增强相进行了观察,结果表明ZrB2颗粒呈等轴或等轴颗粒状,为六方结构,尺寸大部分小于1μm,ZrAl3相大部分呈长条状,两种增强相整体分布较为均匀,且与Al的界面光滑洁净,没有其它界面生成物.对复合材料的硬度做了测试,原位合成增强相的引入显著提高了复合材料的HRB硬度.     

砷化镓激光器脊型波导的制备

本文主要研究了用湿法腐蚀的方法制备砷化镓激光器脊型波导,具体研究了砷化镓（GaAs）、铟镓磷（ InGaP）、铝镓铟磷（AlGaInP）材料的腐蚀。本文还成功地配制了能同时腐蚀铟镓磷和铝镓铟磷材料的腐蚀液。我们还分析了腐蚀时间和腐蚀浓度对脊型形状和脊型深度的影响。最后,在合适的条件下,本文得到了合适的脊型深度和光滑的脊型表面,而且得到的脊型的陡直度很小。这些结果表明这些腐蚀液将有用于激光器的制备。     

引入GaN过渡层对Si（111）衬底上生长GaN外延的影响

本文研究了在Si(111)衬底上生长GaN外延层的方法。相比于直接在AlN缓冲层上生长GaN外延层,引入GaN过渡层显著地提高了外延层的晶体质量并降低了外延层的裂纹密度。使用X射线双晶衍射仪、光学显微镜以及在位监测曲线分析了GaN过渡层对外延层的晶体质量以及裂纹密度的影响。实验发现,直接在AlN缓冲层上生长外延层,晶体质量较差, X射线(0002)面半高宽最优值为0.686°,引入GaN过渡层后,通过调整生长条件,控制岛的长大与合并的过程,从而控制三维生长到二维生长过渡的过程,外延层的晶体质量明显提高, (0002)面半高宽降低为0.206°,并且裂纹明显减少。研究结果证明,通过生长合适厚度的GaN过渡层,可以得到高质量、无裂纹的GaN外延层。     

变跨径等截面箱形板拱桥拱圈施工技术研究及质量控制——北京市梅市口路新建永定河大桥工程

阐述了一种箱型板拱桥模架的新型施工工艺及施工过程,重点介绍了箱型板拱桥模板主龙骨微弯双钢管、倾斜混凝土上表面压模设计、箱型拱圈混凝土浇筑施工、配重混凝土、拱圈线形控制与研究等关键技术。     

西铭矿9号煤层回采巷道合理位置的研究

通过对西铭矿下组煤８号煤层开采以后，在９号煤层中６个工作面９条回采巷道的统计分析，提出开采相同地质条件下，９号煤层中的合理巷道位置以及送道时间，从而带来的经济效益和社会效益。     

利用淀粉的酿酒酵母基因工程菌研究进展

酿酒酵母是发酵工业的重要微生物，主要用于酒精、啤酒和面包工业。在酿酒酵母中已表达的淀粉酶基因包括α-淀粉酶基因和糖化酶基因。外源淀粉水解酶能在酵母中高效表达并分泌，其主要因素在于：在构建载体时组入强启动子；酿酒酵母中带有合适的酵母受体系统；具有外源淀粉酶蛋白的分泌信号；外源淀粉酶基因的遗传稳定性和生长介质。构建分解淀粉酿酒酵母已取得相当大的进展，但在构建的多数菌株利用糊精及淀粉的能力仍然有限，而且降解速率较慢。构建直接分解和利用淀粉的酵母工程菌，可简化工艺、节省能源和酶制剂、降低成本，有重要的应用前景。(孙悟)     

注浆刚性微型桩复合地基在某工程中的应用

注浆刚性微型桩复合地基兼有微型桩复合地基处理和注浆加固处理的双重效果,在一些场地狭窄地段或大型设备无法展开施工的情况下具有其独特的优势,可获得良好的加固效果。通过北京某实际工程的成功应用,对注浆刚性微型桩的设计方法、施工工艺加以总结。     

高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析

制作了反向饱和电流为5.5×10-14 A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010 cm-2.     

MOCVD生长的GaN 薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.