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用射频磁控溅射方法在不同基片温度下玻璃基片上分别制备NiO单层膜、NiFe单层膜和NiO/NiFe双层膜,研究了不同基片温度对膜的磁性能的影响.用振动样品磁强计(VSM)分析了膜的磁特性,结果表明:基片温度260℃时淀积的NiFe膜矫顽力Hc为184A·m-1,小于室温淀积NiFe膜的Hc(584A·m-1),且磁滞回线的矩形度更好.室温下淀积NiO(50nm)/NiFe(15nm)双层膜的Hc为4000A·m-1,交换耦会场(HEX)仅为1600A·m-1,磁滞回线的短形度很差,而260℃时淀积的双层膜的Hc下降到3120A·m-1,HEX却增大为4640A·m-1,同时磁滞回线的矩形度也得到改善,其截止温度TB高达230℃.X射线衍射(XRD)分析了膜的织构,结果表明:室温下淀积NiO膜呈现(220)织构,而260℃时淀积NiO膜呈现(111)织构;室温和260℃淀积的NiFe膜都呈(111)织构,但后者晶粒比前者大. 相似文献
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用射频磁控溅射方法制备多层膜,研究了双层膜NiO/NiFe的矫顽力Hc和交换耦合场Hex与反铁磁层NiO、铁磁层NiFe厚度的关系。结果表明:NiO厚度为70nm时,Hex最大;Hc随NiO厚度增大而增大。当NiFe厚度增加时,Hex近似线性减小;而矫顽力则随NiFe厚度增大开始有缓慢增加,然后才减小。对于NiO(70nm)/NiFe(t1nm)/Cu(2.2nm)/NiFe(t2nm)自旋阀多层膜材料,研究了NiFe膜厚度对磁阻效应的影响。结果表明:被钉扎层NiFe的厚度为3nm时,自由层NiFe的厚度为5nm时,MR值分别最大,约为1.6%。 相似文献
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软磁材料的矫顽力一般分布于零点附近,一方面,在零外加磁场状态下,测量易受到噪声的干扰;另一方面,相对使之达到饱和所施加的最大磁场而言,软磁材料矫顽力的分辨率受到一定的限制。提出一种延迟外推的方法,高精度地估算软磁材料的矫顽力。 相似文献
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在测量单层或多层磁光记录薄膜的居里温度时 ,为了达到有目的测量和提高测量的效率 ,采用了在快速升温过程中 (<5min) ,在感兴趣的温度范围里观察被测薄膜 Ms~ T曲线变化的全过程 ;然后 ,初步判断薄膜的居里温度可能在哪个温度区域里 ,决定是否需要精确测量 ;最后 ,若决定测量 ,选择居里温度附近的一段温度区域里利用降温过程测量。整个测量过程比采用逐步升温、并在每个恒定的温度上读取饱和磁化强度 Ms的方法节省大量的时间。只要选择一类响应时间快的热电偶 ,可以达到与逐步升温方法同样的测量精度。 相似文献
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用射频磁控溅射法在外磁场中淀积 Ni O/ Ni81 Fe19 双层膜, 利用淀积磁场( Hde) 诱导易轴并确定交换耦合场方向. 研究了淀积磁场对 Ni O/ Ni Fe 双层膜特性的影响, 结果表明, 淀积磁场改善了双层膜的磁滞回线的矩形度, 减小矫顽力, 增强交换耦合作用. 反铁磁性层 Ni O 和铁磁性层 Ni Fe 的厚度对矫顽力和交换耦合作用有很大的影响. 在56k A/m 的磁场中制备的 Ni O (50nm) / Ni Fe (25nm) 双层膜的易轴矫顽力 H C为1 . 9k A/m , 交换耦合场 H E X为2 . 6k A/m , 临界温度 Tc 为150 ℃, 截止温度 T B为230 ℃ 相似文献
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NiO/NiFe双层膜的制备及其交换耦合作用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用直流磁控反射溅射制备NiO/NiFe双层膜。在保持NiFe层的厚度20nm不变的条件下,发现尽管没有用外加磁场引导单向各向异性,由于底盘旋转等因素的影响,NiO(70nm)/NiFe(20nm)双层结构仍显示较好的单向各向异性,交换耦合场可达30Oe以上。通过改变NiO层的厚度,溅射气体Ar分压以及溅射气体与反应气体的比例Ar/O2,研究了反铁磁层厚度以及溅射条件对交换耦合场的影响。 相似文献