m-PH-SiO2/Nafion复合膜的质子导电性

为提高Nafion膜在中温段的质子导电性,用溶胶-凝胶法制备比表面积为386 m2/g掺磷中孔SiO2 (m-PH- SiO2),并与Nafion的N,N二甲基甲酰胺溶液混合,重铸法制备不同m-PH-SiO2含量的m- PH- SiO2/Nafion复合膜.用N2-吸附脱附和TEM表征m-PH- SiO2的介孔结构,S...     

掺磷中孔SiO_2在30℃～200℃范围内的质子导电性

合成了孔壁掺磷中孔SiO2(m-PH-SiO2),其BET比表面积为407m2g-1,BJH平均孔径为6.1nm。用交流阻抗技术测定了除去游离P2O5的掺磷中孔SiO2在30℃～200℃范围内100%相对湿度下的质子电导,样品导电率随温度升高而升高,在150℃和100%相对湿度下,样品的电导可达3.1×10-3S·cm-1,比纯中孔SiO2(m-SiO2)的电导约高一个数量级,原因是m-PH-SiO2的物理吸附水量为31个分子/nm2,而m-SiO2只有24个分子/nm2。