MBE梯度掺杂GaAs光电阴极激活实验研究

本文首次利用分子束外延(MBE)生长了多种由体内到表面掺杂浓度由高到低的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极材料,并进行了激活实验,结果表明,表面低掺杂浓度适中,外延层厚度2 μm～3 μm以及衬底为重掺杂p型GaAs的梯度掺杂GaAs光电阴极能够获得较高灵敏度.在优化激活工艺的条件下,梯度掺杂GaAs光电阴极获得了1798μA/lm的最高积分灵敏度,比采用同样方法制备的均匀掺杂GaAs光电阴极高30%以上.梯度掺杂GaAs光电阴极表面掺杂浓度较均匀掺杂的低,第一次给Cs时间较长,第一次Cs、O交替时要调整好Cs/O比,并在整个激活过程中保持不变.一个高量子效率梯度掺杂GaAs光电阴极的获得依赖于梯度掺杂结构和激活工艺两个方面的优化.     

改性ZSM-5对石脑油中有机氯吸附性能

采用浸渍法,以MgO和Fe_2O_3为活性组分制备了Fe_2O_3/ZSM-5、MgO/ZSM-5、MgO-Fe_2O_3/ZSM-5吸附剂,采用XRD、BET和XRF等方法对其结构进行了表征。结果表明:MgO和Fe_2O_3均匀负载于ZSM-5上,改性后的吸附剂比表面积和孔径略有增加,孔容有所减小。较佳工艺条件为:吸附剂焙烧温度550℃;采用1.5%MgO-0.8%Fe_2O_3/ZSM-5吸附剂,吸附时间4 h、吸附温度60℃、剂油比1∶20,脱氯率可达93%,且吸附剂重复使用5次后脱氯率仍达80%以上。吸附过程符合准二级动力学模型,主要为化学吸附。     

Cs、O激活方式对GaAs光电阴极的影响

利用自行研制的GaAs光电阴极多信息量测试与评估系统,比较了不同Cs、O激活方式下GaAs光电阴极的激活过程、光谱响应特性以及稳定性的差异,发现与传统的Cs源、O源交替断续激活方式相比,Cs源持续,O源断续的激活方式能获得灵敏度更高和稳定性更好的阴极,且阴极的长波响应能力也得到提高.本文利用双偶极层模型对实验现象进行了解释,认为Cs在整个激活过程中处于轻微过量状态有利于获得高性能的GaAs光电阴极,Cs量控制是决定GaAs光电阴极激活工艺好坏的主要因素.     

基于AD7705和单片机的智能四探针测试仪的研制

介绍了一种智能型四探针电阻率测试仪的设计方法。该方法以AT89S52单片机控制器为核心,采用恒流源供电,以内带程控放大器和片上数字滤波器的16位∑-△型模数转换器AD7705为主要器件。该仪器硬件电路简单,能够自主选择量程和自校准,具有较高的智能水平与推广的价值。     

微电子工艺与器件实验平台建设

本文结合我校实际情况,对微电子工艺与器件实验平台建设的意义、建设的方案及平台的功能与特点进行了描述.该实验平台已在教学实践中得到成功应用,其建设经验对普通院校电子科学与技术专业实验室建设具有一定的借鉴作用.     

n-InP/p-InP/p-InGaAs场助光电阴极理论建模与仿真

场助光电阴极与通常的负电子亲和势光阴极相比,能显著延长长波阈值,因此在近红外光探测中有着广阔的应用前景。本文利用二维连续性方程建立了n-InP/p-InP/p-InGaAs场助光阴极的电子发射模型。通过模型模拟得到了电子发射电流,并计算了外量子效率。分析了不同偏压下外延层的掺杂浓度和厚度对量子效率的影响,根据仿真结果及制备条件限制,确定了阴极外延结构的最佳参数:n-InP接触层的掺杂浓度为1×10¹⁹/cm³,厚度为0.2μm;p-InP发射层的掺杂浓度为2.2×10¹⁸/cm³,厚度为25 nm;p-InGaAs吸收层的掺杂浓度为5×10¹⁷/cm,,厚度为3μm。对电极和发射面的宽度进行了模拟,发射单元表面的宽度最佳范围为5～8μm,并分析了不同偏压下电极宽度和发射面宽度对量子效率的影响。为场助光电阴极的结构设计和应用提供了理论基础,有利于场助光电阴极的制备。n-InP/p-InP/p-InGaAs场助光电阴极有效提高了发射电流效率,室温5 V偏压下外量子效率在1.55μm...     

GaAs光电阴极多信息量测试系统设计

为了优化GaAs光电阴极制备工艺,设计了一个用于GaAs光电阴极制备过程监控的多信息量测试系统.系统采用了先进的现场总线技术,可在线测试阴极加热净化过程中真空度随温度的变化曲线,阴极激活过程中光电流、真空度、Cs源和O源电流的变化曲线,以及阴极激活后的光谱响应曲线.光电流测试精度可达1 nA,光谱响应曲线测量范围在400～1 000 nm.利用该系统对阴极制备过程进行了监测,并给出了测试结果.     

视频处理器中电荷泵锁相环设计

为产生一个与视频信号中的行同步信号严格同步的时钟信号,设计了一种数模混合结构的电荷泵锁相环(PLL)电路。通过对锁相环电路中鉴频鉴相器、电荷泵电路、振荡器电路设计适当改进,实现了性能稳定的时钟信号。采用中芯国际公司的0.35μm 2P4M双层多晶硅四层金属3.3 V标准CMOS工艺,使用Simulink软件进行了系统级仿真、Spectre软件进行了电路级仿真、Hsim软件进行了混合仿真。结果表明,环路输出频率27 MHz时钟信号,占空比达到50.141%,输入最大2 Gbit/s像素信号条件下,时钟抖动小于350 ps,锁定时间小于30μs,芯片的工作达到设计要求。     

“光荧光”光谱测试系统设计

光荧光（Photoluminescence,PL）是材料吸收光子后的一种自发放射。由于光荧光光谱对于检测半导体材料的光特性是一个有力而又无破坏的技术,根据放射特征光谱分析可获取材料的摻杂杂质种类、能隙大小、化合物中的组成成分、载流子寿命等重要讯息。文中从硬件和软件两个方面进行阐述,着重于光荧光光谱测试系统设计,完成测量光谱范围达到200-2000nm,测试精度达到1nA（1μV）,克服了传统测试系统灵敏度不高、测试光谱范围有限的缺点。     

基于SJA1000的CAN总线系统智能节点设计

CAN总线上的节点是网络上的信息接收和发送站.智能节点能通过编程设置工作方式、ID地址、波特率等参数.它主要由单片机和可编程的CAN通信控制器组成.本文介绍这类节点的硬件设计和软件设计.软件设计包括SJA1000的初始化、发送和接收等应用中的最基本的模块子程序.