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本文介绍用MOS场效应管,电容和运算放大器构成的全集成有源元件,包括GIC、模拟电感和频变负阻(FDNR)等元件电路。这些元件以双运算放大器的Riordan电路为基础,并使用四个匹配晶体管组达到特性的线性化。结果将导致以这类元件为基本单元的新型全集成MOS FET-C连续时间滤波器的诞生。 相似文献
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