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利用高能离子注入机和直线等离子体模拟装置,本文研究了高能氦离子预注入对氘等离子体辐照后钨中氘滞留行为的影响。采用FIB-SEM、TEM、GD-OES和TDS等分析方法,分析了氦离子预注入对钨中氘滞留行为的影响。结果表明:氦离子预注入在辐照损伤区域形成大量氦泡,钨经过氘等离子体辐照后,表面的氘泡数量明显低于未经过氦离子预注入的样品。GD-OES分析中可以看到在氦捕获位处氘滞留浓度明显升高,同时氦离子预注入增加了氘在钨中的扩散深度,结合TDS分析可知氦离子预注入增加了氘在钨中的滞留总量,这是由于氦离子预注入后,形成的缺陷又为钨中氘的俘获提供大量新的位点,从而导致钨中的氘滞留量明显提高。 相似文献
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采用搅拌摩擦加工法制备铝基SiC复合层,研究不同加工道次下SiC颗粒在复合层中的分布形态,并对复合层的组织形貌和显微硬度进行分析。结果表明:加工次数的增加,有利于复合层中SiC颗粒的均匀分布,经4道次搅拌摩擦加工后复合层中SiC颗粒分布均匀,基体金属组织中粗大Si相和枝晶完全消失,组织被明显细化。增强相SiC颗粒的加入使复合层显微硬度得到提高,4道次加工后搅拌摩擦中心区显微硬度最高值为71 HV,较基体金属(45HV)提高了26 HV,搅拌摩擦区的显微硬度平均值为68HV,为基体金属显微硬度(45HV)的1.5倍。 相似文献
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半固态等温热处理对AZ91D镁合金组织的影响 总被引:26,自引:1,他引:25
研究了AZ91D镁合金在半固态等温热处理过程中,等温时间,等温湿度对其组织形态和初生相尺寸的影响。研究发现:在升温过程中,晶界处的共晶组织(δ γ)中的γ相先发生溶解,之后,随着温度进一步升高,δ相又发生熔化分离,并在等温处理过程中逐渐变为球状。当等温时间过长时,球状颗粒有长大的趋势,结果表明:在570℃时保温60min,可得到初生相尺寸在50-80μm的球状组织。 相似文献
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提出了一种应用于手持式民用GNSS接收机常数环路带宽的小数频率合成器,并在0.13μm 1P6M 的CMOS工艺中实现。通过离散的工作区域,LC-VCO用简单的结构获得宽的调节范围和小的压控灵敏度。提出的杂散抑制技术来最小化由于鉴频鉴相器和电荷泵引入的相位偏移。当PLL输出频率改变或温度变化时,通过自动环路校正模块自适应调整电荷泵电流保持优化的环路带宽不变。测试结果显示,该频率合成器带内相位噪声小于-93dBc(10 kHz 频率偏移处),杂散小于-70 dBc, 环路带宽变化小于?3%;在1V的电源供电下,整个合成器(不包括本振测试buffer)消耗4.5mA电流,面积为0.5mm2。 相似文献
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LY12搅拌摩擦焊焊缝成型及接头微观组织分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用MEF3光学显微镜和JSM-6700F场发射扫描电镜分析不同焊接参数下焊缝成型特点及无缺陷致密焊接接头的微观组织变化。研究表明:对厚6mmLY12合金,当焊接速度在20mm/min时。搅拌头旋转速度在1200~900r/min间变化时焊缝致密无缺陷,其焊核区晶粒从上表面到下表面逐渐减小:等轴晶粒出现在搅拌头尺寸范围内,在搅拌头尺寸边缘地带,突然出现具有一定流向的受拉变形的晶粒带:接近轴肩的末端区域有热量输入,晶粒开始长大。 相似文献
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本文设计了一种应用于GPS接收机的单端输入差分输出低噪声放大器。我们提出了一种利用变压器或中心抽头差分电感中的电感耦合来降低差分输出不匹配度的方法。文中对降低不匹配度的原理进行了分析,并且讨论了如何选择电感尺寸。本文的LNA带ESD保护,使用TSMC 0.18um工艺实现,并且封装后在PCB上进行测试。LNA工作在1.575GHz,电压增益为24.6dB, 噪声系数为3.2dB,差分输出增益不匹配度小于0.2dB,相位不匹配度小于2度,LNA工作电压为1.8V,消耗5.2mA电流。 相似文献
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研究了6061Al铝合金和AZ31B镁合金的搅拌摩擦搭接焊(FSLW)接头微观组织及焊后热处理过程中接头界面金属间化合物(IMC)生长行为. 结果表明,在接头界面处,金属间化合物层由连续的β-Al3Mg2(靠近铝侧)相和γ-Al12Mg17(靠近镁侧)相组成. IMC层的厚度随着时间延长或者温度的提高而增加,并且β-Al3Mg2相生长快于γ-Al12Mg17相. 整个IMC层的生长厚度与退火时间的平方根成线性关系,其生长受扩散机制影响. 随着温度从300 ℃增加到400 ℃,IMC层生长的扩散系数从2.88×10-14m2/s增加到3.67×10-13m2/s. 界面IMC层的生长激活能为82.5 kJ/mol. 相似文献
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采用搅拌摩擦焊对2 mm厚的AZ61B镁合金进行了搭接试验,通过剪切拉伸实验对断口处的显微组织进行观察,研究了焊接接头的断裂部位特征及断裂机理。结果表明,搭接接头的断裂部位在热机影响区,断裂起源于钩状缺陷。当搭接形式为上板置于前进侧时,接头断裂形式为45°剪切断裂,表现为韧脆混合断裂,其接头强度较高;当搭接形式为上板置于后退侧时,接头断裂形式为V型断裂,表现为韧性断裂,其接头强度相对较低。接头钩状缺陷、接头厚度方向受热梯度及热机影响区的晶粒定向拉长是影响接头断裂特征及力学性能的主要因素。 相似文献
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