有机溶剂热生长技术制备硫族化合物及其光学特性的研究

以有机溶剂热生长技术(solvothermaltechnique)制备了半导体硫族化合物(CdS、ZnS、MoS2)等纳米颗粒,采用XRD、TEM等技术对其结构进行表征.以ITO导电玻璃以及导电聚合物(PANI、PPY)膜为基底,将纳米颗粒涂布其上并以PL法研究其光学特性,实验结果表明:经修饰后,材料的荧光发射位置发生显著的变化.     

纳米MoS2的制备及其与聚吡咯物复合膜光学性能的研究

以有机热溶剂法制备MoS2,并以XRD对其结构进行表征.TEM形貌观察表明晶粒具有纳米尺寸。以电化方法在ITO导电玻璃基体上制备聚合物聚吡咯薄膜。在导电聚合物膜上涂布纳米MoS2晶体,荧光分析发现其荧光光谱相对于聚合物膜有一定程度的红移。Z-Scan测试其折射率的结果表明其具有非线性光学特性。