ILGAR法CuInS2薄膜制备中的化学计量控制

采用离子层气相反应法(ILGAR)法,以CuCl、InCl3为原料,C2H5OH为溶剂,H2S为硫源在常温下合成了CuInS2薄膜,建立了前驱体溶液中[Cu]/[In]比与薄膜化学计量之间的关系.利用X-ray光电子能谱仪(XPS),X-ray衍射仪(XRD)、扫描电镜(S EM)、可见-紫外分光光度计(UV-Vis)和霍尔测试系统(HALL)等技术表征了不同化学计量下CIS薄膜的相组成、结构形貌、薄膜生长、光学和电学性质.试验表明,薄膜中Cu/In与溶液中[Cu]/[In]呈线性变化,并伴随有立方闪锌矿结构→黄铜矿结构晶型转变过程;当0.94≤Cu/In≤1.27时,测定出CIS薄膜为单相,表面较致密、均匀、附着性好;薄膜的光吸收系数高于104 cm-1,禁带宽度Eg在1.27 eV～1.35 eV之间,表面暗电阻随Cu/In的增加从102Ω·cm降为10-1 Ω.cm,载流子浓度在1016cm-3～1017cm-3.     

离子层气相反应法制备CulnS2半导体薄膜

以CH3CH2OH为溶剂，CuCl和InCl3为反应物，H2S为硫源，用离子层气相反应法制备了CulnS2半导体薄膜。用X射线衍射、X射线光电子谱、扫描电镜和紫外-可见光谱等对薄膜的晶型、表面化学组成、表面形貌及光电性能进行了表征。分析了混合前驱体溶液中阳离子浓度比【Cu】／[In】对薄膜化学计量及性能的影响。[Cu]／[In]〉／1、25时，可获得黄铜矿结构的CulnS2薄膜，其单相形成区外【Cu】／叫为1．45-1．65。     

离子层气相反应法制备CuInS2半导体薄膜

以CH3CH2OH为溶剂,CuCl和InCl3为反应物,H2S为硫源,用离子层气相反应法制备了CuInS2半导体薄膜.用X射线衍射、X射线光电子谱、扫描电镜和紫外-可见光谱等对薄膜的晶型、表面化学组成、表面形貌及光电性能进行了表征.分析了混合前驱体溶液中阳离子浓度比[Cu]/[In]对薄膜化学计量及性能的影响.[Cu]/[In]≥1.25时,可获得黄铜矿结构的CuInS2薄膜,其单相形成区外[Cu]/[In]为1.45～1.65.     

风电行业专利情报概述分析

根据目前风电的技术和市场特征,本文从中美两个重要区域及重点的风电企业对风电相关专利信息情报进行检索分析,并借鉴已发生的风电行业专利纠纷案例进行描述和讨论,为风电行业尤其是整机企业了解行业技术信息及经营发展提供参考。