提拉法生长钨酸钆镉晶体

用提拉法生长了四方晶系白钨矿结构的钨酸钆镉[CdGd2(WO4)4,CGW]晶体.通过X射线衍射分析计算出晶胞参数a=b=0.5204 nm,c=1.1360 nm.为改进CGW晶体的生长工艺,采取了一些避免生长过程中出现组分过冷现象的工艺措施,提出了晶体生长的最佳工艺参数:拉速为0.84 mm/h,转速为40 r/min,熔体中界面处的温度梯度为46～47 ℃/cm,冷却速率为32 ℃/h.测试了晶体的紫外-可见光谱和Raman光谱,测量得到晶体在紫外波段的截止波长为326 nm,并讨论了晶体的紫外吸收边起源和Raman光谱中各峰的振动归属.     

钨酸铅晶体的红外反射谱

采用提拉法生长了钨酸铅(PbWO4,PWO)晶体.室温下测量了PWO晶体的红外反射谱,观察到7个反射峰,分别位于84,125,260,298.381.785cm-1和854 cm-1,对各个反射峰进行了振动归属;利用Kramers-Kronig(K-K)关系对样品的红外反射谱进行数据处理,获得晶体的静态介电常数ε0=5.25,高频介电常数ε∞=4.30,横光学声子频率ωτ=769.92cm-1和纵光学声子频率ωL=881.19cm-1等物理参量.     

虚拟仪器在物理实验室建设中的应用

阐述了虚拟仪器在物理实验室建设中的应用,给出了虚拟仪器在物理实验中应用实例.     

钨酸钆镉单晶的光致发光性能

采用提拉法生长了钨酸钆镉[CdGd2(WO4)4, CGW]单晶.在室温下测试和研究了CGW单晶的光致发光谱和X射线能量色散谱.结果表明:样品中有Gd,Cd,W和O元素,未见其他杂质元素;样品的发光性质随激发波长的不同而有所变化.在313 nm波长光激发下,有3个发光带,分别为447 nm蓝光,487 nm蓝绿光和545 nm绿光;在353 nm波长光激发下,不仅有蓝光、蓝绿光和绿光出现,另外出现了575 nm黄光发光峰;在367 nm波长的光激发下,出现775 nm红光发光峰.对发光机制分析认为:蓝光和蓝绿光为本征发射,起源于WO42-离子团的内部电子跃迁;绿光起源于"WO42- Oi";黄光和红光起源于WO3内部跃迁.     

钨酸钆镉晶体的光学性能

测试了钨酸钆镉[CdGd2(WO4)4,CGW]晶体在200～700nm波段的透射光谱和反射光谱。结果显示:CGW晶体在可见光区吸收非常小,具有良好的透光性。对测量得到的光谱进行了数学处理,计算得到了描述CGW晶体宏观光学特性的重要物理量,即晶体的折射率n(λ)、消光系数k(λ)和吸收系数α(λ)。用(αE)1/2对E作图,得出了晶体的光学能隙为3.53eV,证明了CGW晶体是间接带隙半导体。