可控硅整流装置U2的分析

由于离子膜电解槽具有许多优点,因而国内的不少氯碱厂在烧碱发展规划,增产翻翻,技术改造等方面都首先选择离子膜电解槽作为电解设备。那么与离子膜电解槽配套的直流电源整流装置情况又怎样呢?由于离子膜电解槽槽型分为单极式和复极式,因而所用整流装置的整流主回路又有所不同。单极式配大电流,电压高低与槽数有关;复极式则需配电流相对小而电压高的整流装置。它的主接线没有多少变化,一般为三相桥式或者双反星形接线。在调压方面:     

同相逆并联在整流装置中的应用

针对当前氯碱行业高速发展,大量使用离子膜复极槽的现状,对同相逆并联在整流装置中的应用进行了讨论。认为在直流电压为300～450V,直流电流≤15kA时,采用同相逆并联技术并非最佳选择。     

金属阳极整流机组稳流装置的设计

我厂电解工段现有金属阳极电解槽30型62台,正常情况下,需要的电流为30kA～50kA。常年电压为195V左右,由三台24kA,300V硅整流机组供电。由于硅整流器是不能调压的,调节电解槽电流大小只能通过自耦调压变压器的有载调压开关,来改变电压进行电流调整。机组主要技术参数 1~#3~#机组的调压开关为27档,每档对应整流变压器阀侧交流8V电压,5~#机组调压开关为39档,每档对应整流变压器     

63kA可控硅整流机组触发脉冲的干扰分析及其对策

直流单机组63kA/72V可控硅整流装置是国产最大电流的可控整流机组。由于机组电流大、电压低,采用双反星带贯穿式平衡电抗器同相逆并联可控硅整流电路,结构上设计成全分裂绕组,出线为1机带2柜方案,可控硅元件为KP-1500kA/1000     

110kV直降式整流的经济规模

在分析了供电安全、厂区规划等条件的基础上，讨论了110kV直降式整流的经济规模。认为一次建成的最小规模为40万t／a PVC、32万t／a烧碱。     

硅树脂在我厂整流供电系统中的应用

我厂整流站处于全厂的中心,严重地受到污染的威胁。宜宾地区是高湿度地区,年平均湿度为百分之八十一,最高湿度达百分之九十几。这时,上述各处排放或漏泄的氯气、氨气、水合胼、氯苯、碱雾、电石粉尘等在空中混合后,飘浮在整流站上空,使35KV高压供电系统的支柱瓷瓶绝缘降低,飞弧严重,直至引起35KV母线发生短路故障,造成全厂停车。为了解决这个威协生产的难题,我们应用硅脂涂抹瓷瓶以提高供电回路绝缘水平。硅树脂是硅有机合成凡士林,是十分稠的(不定形的)油脂,在很大的温度范围内     

提高整流装置控制回路的可靠性

在氯碱行业中,高效的整流装置,除要求主回路接线灵活,简单合理,运行可靠,满足工艺参数,节能,便于维修等特点外,还必须具有功能齐,操作、保护可靠的二次回路和相应的辅助回路相配套,才能发挥高效作用。反之,功能不全,可靠性差,不满足工艺要求的,将带来操作不便,常误发信号、误动而造成停车,长周期运行困难。或者因信号系统功能不全,不能正确反映故障原因,造成排除故障时     

离子膜槽与金属槽串联运行中整流装置的保证措施

介绍了为保证离子膜槽与金属阳极电解槽串联后正常运行所采取的措施，通过运行证明改造后的整流装置能满足串联运行的技术要求。     

可控硅整流器的di/dt分析

本文以可控硅整流元件换相为基础,提出一个新概念:换相电流上升率dik/dr。以实例计算影响dik/dt的各种因素。对影响可控硅元件di/dt的原因进行了分析,提出可控硅元件di/dt=(1.5—3)dik/dt的经验数据。