C波段GaN固态功放及其功率合成器研制北大核心CSCD

介绍了一种C波段高功率高效率GaN固态功率放大器及其径向同轴功率合成器研究成果,基于该功率合成器设计出一种C波段输出功率110 W(CW)、效率40%的高效率GaN功率放大器。实验测试结果:表明采用四路C波段30 W GaN功放径向同轴功率合成方法,其功率合成效率达93%,解决了实际工程应用中C波段高功率微波功率放大器的高效率问题,为下一步研制更高性能高效率高功率固态功率放大器探索出一种可行的技术方法。     

毫米波赋形偏馈双反射面天线技术

为了实现一种具有高口面辐射效率、斜波束出射能力的口径天线,采用几何光学方法设计了一种偏馈双反射面天线.天线主反射面采用赋形设计,副反射面的设计过程中采用Snell定理作为约束条件.通过理论公式、数值模拟仿真和实验测试研究,实现了一种出射波束口径为110 cm、天线口面场分布为抛物形分布、波束出射方向与竖直方向成20°夹角的赋形偏馈双反射面天线.在中心频率95 GHz下,实测天线增益为59.7 dB,第一副瓣电平为-19dB,天线口径效率达到78%.     

一种C 波段全固态大功率GaN 微波源研制

采用带6 位移相器功能、输出功率大于30W、增益45dB 带6 位移相器功能的C 波段固态单元GaN 功放模块, 通过高效率同轴波导径向空间功率合成方法,研制高功率高效率固态C 波段GaN 微波源,该微波源具有高频、高功率、 高效率、高热导率、高可靠、体积小、重量轻等优点。设计举例：研制一种新型大功率C 波段全固态GaN 微波源,其输 出功率（CW）1.2kW 、总效率30%、谐波抑制-54.8dBc、杂散-63.69dBc、相位噪声-94.03dBc/Hz@1kHz、移相精度 5.6o、同轴波导径向空间功率合成效率95%。     

EBG 结构改善天线辐射特性初步研究

本文研究了高阻表面型EBG,其蘑菇形二维周期结构具有紧致特性,周期和单元尺寸远小于工作波长,非常适 合于阵列天线设计,它的表面波抑制特性有助于改善天线性能。采用Mushroom-like EBG 结构形式,针对12GHz 频率完成 初始结构参数选取,利用同轴探针模型给予验证。随后加载于波导缝隙阵列,采用HFSS 模拟软件,通过优化设计,降 低了方向图副瓣及后瓣,其中对第二副瓣和后瓣的抑制优于2dB,前向辐射也有所增加,达到了改善天线辐射特性的目的。     

基于疏水性TiO2纳米颗粒的悬浮液手印显现研究

利用偶联剂N-辛基三甲氧基硅烷(KH-318)对TiO₂纳米颗粒进行改性,制备表面改性的TiO₂纳米颗粒悬浮液,考察反应温度和反应时间对亲油化度的影响,使用光学显微镜考察在不同制备条件下改性疏水性TiO₂纳米颗粒悬浮液对手印显现效果的影响。结果表明,改性的TiO₂纳米颗粒悬浮液的疏水性在45℃反应2 h时最好,显现潜在手印的效果优异,可呈现出清晰的指纹三级特征。有机官能团通过Ti—O—Si化学键成功接枝到TiO₂纳米颗粒表面,且改性后的TiO₂纳米颗粒对潜在手印表面的脂类等物质具有良好的靶向吸附能力。改性的疏水性TiO₂纳米颗粒悬浮液的性质非常稳定,适合皮脂及油质等手印的高灵敏度显现,在化学及法庭科学领域具有较好的应用前景。