经济一体化产生和发展的动力分析

针对经济一体化历史发展,从社会心理学的角度对一体化产生的动力进行了分析,得出了经济一体化产生和发展的根本动力是为了提高本国的国际竞争力。     

一款基于45 nm SOI CMOS工艺的高功率二倍频器

基于45 nm SOI CMOS工艺,设计了一款输出频率为10.04 GHz～19.26 GHz的高功率二倍频器。该二倍频采用push-push结构,能够滤除奇次谐波,留下偶次谐波。为了提高倍频管二次谐波的功率,将MOS管偏置在C类。在二倍频器的输入端,采用二次谐波短路回路来提高倍频转换增益;同时,为了实现巴伦中心交流接地及平衡信号,在巴伦中心抽头处加入了一个电容。后仿真结果表明：在输入功率为0 dBm下,3 dB绝对带宽范围为10.04 GHz～19.26 GHz,相对带宽为62.9%。在带宽内基波抑制达到了27 dBc以上。最大转换增益为4.9 dBm。直流功耗峰值为26 mW。其最大功率附加效率为15.4%。芯片核心面积仅为0.264 mm²。     

PDVT单体的电子结构与红外光谱

有机共轭聚合物在电致发光材料上有较大的应用前景。采用密度泛函理论B3LYP方法在6-311++G(d,p)水平上计算了PDVT的分子结构和电子结构,并对红外光谱、净电荷布局等进行了分析,结合前线轨道理论探讨了分子的稳定性和活性。计算结果表明PDVT分子中环状结构的共轭效应良好,其中C(26)的反应活性最高,最容易接受亲电试剂的进攻。前线轨道分析表明PDVT分子的内部环状结构对HOMO轨道做主要贡献,S原子对LUMO轨道做主要贡献,计算所得△Eg=0.489eV表明它更倾向于接受电子并具有适合的能带宽度。PDVT分子具有较小的空穴重组能,空穴载流子速率大,可作为良好的空穴传输材料。     

基于GaAs pHEMT工艺的0.1 GHz～8.0 GHz低噪声放大器

基于0.25μm GaAs pHEMT工艺,设计了一款工作频率为0.1 GHz～8.0 GHz的超宽带低噪声放大器,采用单级共源共栅(cascode)结构,使用电阻并联负反馈扩展了低噪声放大器的带宽,并且采用电感中和技术补偿了高频增益与提高频率响应。仿真结果表明：该款低噪声放大器的分数带宽高达195%,噪声系数小于1.32 dB,最高增益为21.2 dB,1 dB压缩点为16 dBm。在砷镓化合物工艺设计的低噪放中,本文拥有195%的分数带宽,较高的增益和较低的噪声系数。     

一款BiCMOS工艺的低附加相移衰减器

采用0.18μm BiCMOS工艺，设计了一款工作频率为17～42 GHz的5位低附加相移、超宽带衰减器。小衰减单元采用简化的T型衰减结构，大衰减单元采用π型衰减结构，且每个衰减单元均采用电容和电阻并联的方式对附加相移进行补偿。测试结果表明，在17～42 GHz频带范围内，该衰减器的衰减动态范围为0～20 dB,衰减步进为0.5 dB,衰减误差均方根小于0.5 dB,附加相移为-1.25°～1.00°,芯片尺寸为220μm×95μm。