φ75mmSI-GaAs单晶的研制

近年来，由于砷化镓集成电路（GaAsIC）的高速发展，对高质量的SI－GaAs单晶的要求越来越高，现已成为GaAsIC制造技术的关键之一。电子部南京电子器件研究所依靠自己的力量，在过去成功经验的基础上，自筹资金自行设计制造了JW0018型新一代高压单晶炉，在国内首先使用了三温区石墨加热系统进行了75mmGaAs晶体生长，首次投新料就获得了较为满意的结果。具体参数指标如下：电子迁移率：5.47×103cm2／V·s电阻率：23×107/Ω·cm位错密度EPD：8．8XIO4cm－’迁移率径向均匀性凸p／P：53见电阻率径向均匀性凸人P：146拓从得到的结果…     

一种便捷的风塔筒体吊运工装设计

随着风力发电塔的研发进程不断加快,许多新工艺、新方法得到了广泛的应用.文中从风塔生产中塔筒吊运达到更便捷、更安全的效果出发,在企业的项目改造时对吊运工装提出了一些改进设计,以供同行参考.     

DCS系统下电机控制故障的处理

随着工业生产的不断扩大,为了提高生产效率,降低能源消耗,提高产品质量,先进的生产控制系统--集散控制系统(DCS)越来越广泛的使用在现代化工业上.由于控制模式的改变,原来生产现场的一些控制方式也随之改变.现场的电机控制也一样,在新的控制方式下,随之产生的现场问题,就不能再用传统的控制思维去检查、处理.这就需要我们要理解新的控制系统的控制原理,继而找出解决问题的办法.     

液相法制备纳米二氧化钛粉体的工艺研究

以四氯化钛为原料,采用液相法制备出粒径约为12 nm,比表面积为229.77 m2/g的纳米二氧化钛粉体.并通过实验,用XRD、SEM对粒子的形貌、晶型、粒径进行了表征对比,并结合二氧化钛粉体制备的产率,对主要工艺参数进行了分析与讨论.     

液相水解法制备纳米二氧化钛粉体及工艺研究

以四氯化钛和正辛醇为原料,通过液相水解法制备纳米二氧化钛粉体。重点讨论了原料配比、碳酸铵饱和溶液温度、焙烧温度等因素对制备工艺的影响。通过XRD、SEM对纳米粉体的形貌、晶型、粒径进行了表征对比,并结合二氧化钛粉体制备的产率,确定了最佳工艺参数:四氯化钛∶正辛醇=1∶4(质量比),碳酸铵饱和溶液温度为50℃,真空干燥温度为110℃,焙烧温度350℃,焙烧时间3 h。并制备出粒径约为12 nm、比表面积为229.77 m2/g的纳米二氧化钛粉体。     

液相法制备纳米二氧化钛粉体及工艺研究

以四氯化钛为原料,采用液相法制备出粒径约12nm,比表面积229．77m~2/g的纳米二氧化钛粉体。通过实验,用XRD,SEM对粒子的形貌、晶型、粒径进行了表征对比,并结合二氧化钛粉体制备的产率,对主要工艺参数进行了分析与讨论。     

滚压技术在艉轴精加工中的应用

介绍了在普通车床上应用滚压技术加工船舶艉轴等轴类零件的过程,该方法操作简单,解决了轴表面粗糙度和形位公差要求高的技术难题,可供相关工程技术人员参考。     

基于语义计算的公交移动问答系统

为解决外来旅客公交问询困难的问题,本文利用模式匹配、编辑距离计算、语义计算、自动问答等技术,实现了基于自然语言问答的公交移动问答系统。本文在抽象公交节点的基础上引入站点概念词,对站点关键词进行扩展、消除问询歧义,把公交线路抽象成线路节点网络模型,引入查询日志记录快表辅助问答,借助手机短消息业务实现了双向向传输。实验结果表明,该系统达到了预期效果。