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泡沫结构多级孔ZSM-5分子筛的制备与表征 总被引:1,自引:0,他引:1
以商用聚氨酯泡沫为硬模板,采用原位水热法,在100℃下晶化48 h,在聚氨酯泡沫骨架表面形成厚度为1 μ m且致密、连续的分子筛膜,经高温焙烧去除聚氨酯泡沫硬模板和合成分子筛所用的有机模板剂后,获得了可自支撑的泡沫结构多级孔ZSM-5分子筛。XRD、SEM和N2吸附-脱附表征证实,该多级孔分子筛完全复制了聚氨酯泡沫的三维网络骨架结构,因而具有大孔-介孔-微孔复合孔道结构。采用微波法,在相同实验条件下仅需反应8 h,即可获得泡沫结构的ZSM-5分子筛。该泡沫结构多级孔分子筛在吸附、分离以及催化领域具有潜在的应用价值。 相似文献
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本文叙述了4096位CMOS移位寄存器的工作原理和电路的设计考虑。讨论了先进的N阱硅栅N~+掺杂全离子注入技术和3微米光刻工艺中所遇到的主要工艺技术问题。还给出了电路的典型参数。 相似文献
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本文对CCD模拟延迟线的设计原理、参数要求、器件结构、输入输出电路等作了详细叙述,还结合实践,对器件研制中的一些主要工艺参数作了穿插介绍。另外,还论述了驱动时钟的设计考虑,测出了一种CCD模拟延迟线的主要参数。 相似文献
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研究了斜角光纤切割技术和方法,制作出符合使用要求的耦合器件,分析了斜角光纤与器件耦合能降低量子噪声的原因。 相似文献
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本文介绍了目前半导体工艺中采用的介质薄膜中局部缺陷的各种探测和分析方法,分析了各种方法的应用场合及其限制。典型的介质层有热生长二氧化硅与汽相淀积二氧化硅、硅酸盐玻璃、氯化硅、氧化铝以及厚度为几百埃至数微米的复合硅酸盐。本文叙述比较详细的分析方法有反差显微镜、扫描电子显微镜、自复合质击穿、选择化学腐蚀、电解染色、液晶方法、电子探针微量分析和离子探针微量分析。另外还简单地介绍了其他几种方法。讨论的重点放在这些方法的最新改进方面。最后用典型实例说明了这些方法的应用,并讨论了其发展趋向。 相似文献
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为了研究新型装配整体式板-钢板剪力墙钢框架结构的抗震性能,对一个非对称体型新型装配整体式板-钢板剪力墙钢框架结构进行了1/4整体模型模拟地震振动台试验,试验得到结构在地震动作用下的加速度响应、位移响应以及应变响应;该结构能够满足抗震规范的要求,加载到罕遇地震时,混凝土板出现了局部微裂缝.不浇现浇面层的装配式整体式预制楼板与工字钢梁连接良好,新型装配整体式空心板表现出较好的抗震性能.本文分析了强烈度地震作用下结构的地震反应、破坏形态,给出了结构薄弱部位的构造设计意见,为同类结构的抗震设计提供了试验依据. 相似文献
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本文提出一种新型的电编程序和可变唯读存储器。文中叙述了对于重迭栅雪崩注入型MOS场效应晶体管(SAMOS)中的电子注入、俘获和发射的研究结果,介绍了以这种新结构制成的全译码256位唯读存储器,还研究了俘获电荷的保持与漏出机构。“写”的过程指的是电子注入到浮置栅上并被俘获在上面,浮置栅埋置在栅氧化物中并完全绝缘。SAMOS晶体管的写入时间为20微秒,这个时间比FAMOS晶体管的写入时间(20毫秒)要短得多。存储内容的清除可以采用光学上的光电发射或电学上的场致发射的方法。用光学方法清除记忆时,写入和清除循环能够无限重复;采用电学方法清除时,重复次数为10次以上。俘获电荷的漏出可能是由于栅氧化物中存在的正空间电荷引起福勒-诺尔德哈姆(Fowler-Nordheim)隧道发射的缘故。浮置栅中俘获电荷的半衰期时间在150℃之下估计可达100年以上。与普通硅栅晶体管相比,制造SAMOS仅需要增加一个成本不高的工序。 相似文献