AIN-W复相微波衰减材料的性能研究

以AlN和W为原料,Y2O3为烧结助剂,1850℃、N2气氛下热压烧结制备AlN-W复相衰减材料.运用XRD、SEM和矢量网络分析仪对AlN-W复相衰减材料的相组成、显微结构和衰减性能进行表征.研究了W含量对AlN-W复相衰减材料烧结性能与微波衰减性能的影响.结果表明,烧结性能随W含量的增加而变差;衰减量随W含量的增加而增加.W含量小于10wt%时呈现选频衰减;W含量10wt%-40wt%,呈多点选频衰减;W含量达到50wt%时,表现较好的宽频衰减.初步探讨了AlN-W复相材料微波衰减曲线的频谱特性与衰减机理.     

AlN-W复相微波衰减材料的性能研究

以AlN和W为原料，Y2O3为烧结助荆，1850℃、N2气氛下热压烧结制备AlN-W复相衰减材料。运用XRD、SEM和矢量网络分析仪对AlN-W复相衰减材料的相组成、显微结构和衰减性能进行表征。研究了W含量对AlN-W复相衰减材料烧结性能与微波衰减性能的影响。结果表明，烧结性能随W含量的增加而变差；衰减量随W含量的增加而增加。W含量小于10wt％时呈现选频衰减；W含量10wt％-40wt％，呈多点选频衰减；W含量达到50wt％时，表现较好的宽频衰减。初步探讨了AlN-W复相材料微波衰减曲线的频谱特性与衰减机理。     

钨对AlN基复相材料微波衰减性能影响的研究

以AlN和W为原料，Y203为烧结助剂，在1850℃的N2气氛下热压烧结制备AlN-W复相衰减材料。运用XRD，SEM，网络分析仪等测试手段，研究了W含量、制备工艺对材料的显微结构、相组成、烧结性能及微波衰减性能的影响。结果表明，AlN-W复相衰减材料的衰减量随W含量的增加而增加，当W含量低于柏％时呈现选频衰减特性，而当W含量继续增加到50％时呈现良好的宽频衰减，且衰减量最高达到-1．9dB。探讨了AlN-W复相衰减材料的主要衰减机制。     

高导热AlN基复相微波衰减陶瓷的研究进展

本文主要综述国内外高导热AlN基复相微波衰减陶瓷的研究进展.具有优良微波衰减性能的材料体系有两种：氮化铝-导体复相微波衰减陶瓷和氮化铝-半导体复相微波衰减陶瓷.氮化铝-导体复相衰减陶瓷包括AlN-金属复相陶瓷、AlN-石墨复相陶瓷、AlN-金属氮化物复相陶瓷.其中AlN-金属复相陶瓷因具有优良的高导热性能及微波衰减词节性能,成为今后微波衰减材料的主要研究方向.