基于MBE的GaAlAs／GaAs分布反馈式半导体激光器的制作新工艺

利用分子束外延（ＭＢＥ）对ＧａＡＩＡｓ和ＧａＡｓ的选择性热蚀特性进行光栅上的二次外延生长，既能获得清洁的外延界面，又能精确控制光栅的形状．采用这种方法，我们在国际上首次成功地制作了完全ＭＢＥ生长的内含吸收光栅的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱增益耦合型分布反馈式（ＤＦＢ）半导体激光器．并实现了激光器在室温下的脉冲激射，、器件表现出了ＤＦＢ模式的单模工作特性．     

奈曼油田中孔低渗稠油油藏降粘技术研究

以奈曼油田中孔低渗稠油油藏等主力产层为研究对象,分析了水驱油过程的渗流机理以及水驱过程中指进现象产生的渗流机理,为水驱降粘技术的进行和水驱降粘数值模拟奠定了理论基础。通过开展水驱降粘研究,缓解稠油水驱(特别是水驱中后期)波及效率低、剩余油分布杂乱的矛盾,以提高水驱采收率,达到改善开发效果、提高采出程度为最终目的。     

完全 MBE 生长的内含吸收型光栅 GaAlAs／GaAs 多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器

我们首次完全采用ＭＢＥ技术成功地制作了内含吸收型光栅的ＧａＡＩＡｓ／ＧａＡｓ量子阶增益耦合型分布反馈式半导体激光器．激光器在室温下的激射波长为８６０ｕｍ，单模单端输出光脉冲峰值功率超过２０ｍＷ．器件在至少０℃到８０℃的范围内始终保持单纵模激射．作为初步结果，条宽为５～６μｍ的氧化物条形结构器件的脉冲工作阈值电流约为７００ｍＡ．     

油藏管理中的储层地质模型及随机建模技术

从我国目前的实际情况出发,对储层地质模型及建模方法步骤进行认真的介绍,并对储层建模的随机模拟技术的作用与方法进行阐述。