沉积温度和时间对多孔SiC薄膜的光致发光性能的影响

为了增强碳化硅(SiC)的光致发光性能,设计了三层结构的多孔SiC薄膜,衬底是单晶硅,中间层是双通阳极氧化铝(AAO)模板,顶层是SiC薄膜。采用磁控溅射工艺在AAO模板上沉积SiC薄膜,沉积温度为100~500 ℃,溅射时间为1~30 min。研究了沉积温度和沉积时间对SiC的光致发光性能的影响。结果表明:SiC薄膜为非晶态,SiC主要沉积在AAO模板的上层骨架结构上;与未经过溅射的样品相比,当衬底温度为200 ℃,溅射时间为1 min时, SiC的荧光性能增强至14.23倍;多孔SiC薄膜的荧光主要来自2.3 eV的主峰和2.8 eV的次主峰,主峰可能来自Al₂O₃的O缺陷发光与SiC本征发光,次主峰可能来自SiO₂的O缺陷发光。磁控溅射结合双通AAO模板法可应用于多孔荧光SiC薄膜的工业化快速制备。     

聚焦离子束在二维多孔Si/Al2O3/SiC薄膜透射电镜截面微观结构表征中的应用

二维多孔Si/Al₂O₃/SiC薄膜材料的透射电镜截面微观结构表征中，存在薄膜易脱落、脆性大、耐磨性差，以及选区制备难度大、制样效率低、成功率低等问题。采用聚焦离子束技术，成功地进行了二维多孔Si/Al₂O₃/SiC薄膜的透射电镜截面微观形貌的表征。结果表明，聚焦离子束技术是一种可以有效减少二维多孔薄膜样品制备过程中的损伤，进行高质量进行透射电镜截面微观结构表征的方法。