宽禁带Ⅱ－Ⅵ族四元合金Zn_（1－x）Mg_xS_ySe_（1－y）成分的定量俄

用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了高质量的四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）薄膜．在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射和喇曼散射研究后，提出了一种确定四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）组分的方法，即：利用ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）和化学配比的ＭｇＳｅ作为标准样品，通过Ｘ射线衍射和喇曼散射测得标准样品ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）中的Ｓ组分，再根据ＺｎＳｙＳｅ（１－ｙ）和ＭｇＳｅ的俄歇谱图，对各元素的相对灵敏度因子进行修正，然后利用相对灵敏度因子法比较精确地走出四元合金Ｚｎ（     

Zn_(1-x)Mg_xSe外延合金薄膜的结构研究

用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜（0≤x≤1），用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构，发现对x较小的样品，合金层为单一的（100）面闪锌矿结构，（111）面的含量可以忽略．对x≈0．5的样品，合金层中（100）和（111）面的闪锌矿结构共存，两种结构呈现不同的组分，且（111）结构的x值总是小于（100）结构．对x＝1的样品，外延层呈现单一的（100）氯化钠结构．对不同结构和含量所作的定量分析表明，（111）面闪锌矿结构可能是Zn1-xMgxSe合金从（100）面闪锌矿结构向（100）面氯化钠结构转变的中间相．     

单脉冲飞秒激光作用下晶态GeSb2Te4相变薄膜的非晶化过程

利用飞秒激光的抽运探测技术，研究了单脉冲飞秒激光作用下GeSb2Te4相变薄膜的非晶化过程，测量了相变薄膜的时间分辨光学显微图。所研究的系统为多层薄膜结构100 nm ZnS-SiO2/ 35 nm GeSb2Te4 /120 nm ZnS-SiO2/0.6 mm ，飞秒激光的脉冲宽度为108 fs，波长为800 nm。实验发现相变薄膜从晶态至非晶态的相转变过程可以在 2.6 ns内完成。讨论了相变薄膜的厚度对系统的热传递、快速凝固过程的影响，分析了相关热过程和热效应，解释了抽运探测实验数据，并探讨了单脉冲飞秒激光诱导相变薄膜非晶化的机制。     

面向油田大数据应用的数据融合方法及应用

油田大数据应用场景在设计、研究与建设过程中会涉及多学科、多专业相互关联、互有交叉、技术密集的全量数据内容,目前多源数据对象独立建设,各专业采集数据结构类型不统一,数据采集设计并不适合面向业务应用,存在整合应用难、数据综合提取难、专业间数据融合难等问题。为了将多源异构、不同时空尺度的数据处理、融合为油田大数据应用场景需要的全量数据集合,开展油田数据多源性分析,按照横向分专业,纵向以井为核心进行数据集成技术研究,并筛选、确定五个油田业务融合点,从不同尺度开展勘探开发数据的处理和关联融合的方法研究,建立一套油田数据融合方法及融合基础模型。应用结果表明,该融合方法能够有效集成、处理、融合油田多源异构数据为大数据应用场景需要的数据集。实现油田大数据应用场景中准确的全量数据支持,提高提高大数据预测结果的准确性。     

GaAs(001)衬底上MnTe与相关超晶格的晶格生长和光谱特性

在ＧａＡｓ（００１）衬底上，用分子束外延方法生长ＭｎＴｅ薄膜和ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ等超晶格，发现在ＭｎＴｅ外延层中可能出现的ｂｃｃ晶畴，在超晶格中得到抑制，而且ＭｎＴｅ薄膜或超晶格中的ＭｎＴｅ层都不是严格的闪锌矿结构．通过比较２Ｋ下ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ和Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｔｅ／ＺｎＴｅ的低温光致发光谱和反射谱，发现ＭｎＴｅ／ＺｎＴｅ的由应力造成的红移更大，半宽也增大，并对其发光峰位进行了理论计算     

基于机器学习算法的水驱储层相渗曲线仿真预测

相渗曲线是油气田开发研究中的一项重要基础资料。采用常规室内实验法获得相渗曲线费用昂贵且耗时,测试样品少,难以代表整个油藏的特征;经验公式法估算获得的结果精度低且误差大。为了实时、准确获得水驱储层相渗曲线,采用机器学习算法进行仿真预测。通过测井参数敏感性分析,融合相渗曲线数据,构建水驱储层相渗曲线仿真样本集。在此基础上,优选机器学习算法进行地质因素约束优化以及曲线端点约束优化,实现相渗曲线智能可视化生成。研究结果表明：该方法能实现每口井每个层段的相渗曲线预测,预测精度大于90%,能准确反映油藏渗流特征和储层渗透率变化规律,具有较高的实际应用价值和良好的推广应用前景。     

Zn_(1-x)Mn_xSe/Zne应变超晶格的分子束外延生长及特性研究

用分子束外延方法在GaAS（100）衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe／Znse（x＝0．16，x＝0．14）超晶格结构．用X射线衍射和喇曼散射对其结构、应变分布以及光散射性能进行了研究．当超晶格的总厚度大于其临界厚度时，超晶格将完全弛豫至一个新的平衡晶格常数．此时，在（100）平面内，ZnSe阱层受到张应变，而Zn1-xMnxSe垒层受到压应变，从而，导致其喇曼光谱中，ZnSe阱和Zn1-xMnxSe垒的LO声子峰分别向低频方向和高频方向移动．当超晶格总厚度小于其临界厚度时，超晶格不再弛豫而是保持过渡层Znse的晶格常数，此时，ZnSe阶层不再受到应变，而Zn1－xMn     

100lm/W照明用LED大功率芯片的产业化研究

本研究基于蓝宝石图形衬底（PSS）制备GaN基40mil功率型LED芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内,半峰宽接近20nm,LED功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01mA下有良好的点亮效果,没有暗区,器件在350mA下发光效率达104 lm/W,并能够满足3W的应用市场,此外,器件具有良好的可靠性和稳定性,350mA和700mA下老化1,000hr光衰分别为-0.4%和2.8%,并成功解决了产业化的关键技术。     

Zn1—xMnxSe／ZnSe应变超晶格的分子束外延生长及特性研究

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６，ｘ＝０．１４）超晶格结构，用Ｘ射线衍身 喇曼散射对其结构，应变分布以及光散射性能进行了研究，江超晶格的总厚度大于最度是格将完全弛豫至一个新的平衡晶格常数，此时在（１００）平面，ＺｎＳｅ阱层受到张应变，而Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ垒层受到压变应。从而，导致其喇曼光谱中，ＺｎＳｅ Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ垒