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ATO包裹硅酸锆的制备与应用 总被引:2,自引:0,他引:2
采用化学共沉淀技术制备了锑掺杂二氧化锡(ATO)包裹硅酸锆的导电粉体,对比了该导电粉体与ATO在防静电陶瓷中的应用效果。结果表明与掺纯ATO相比较,掺入ATO包裹硅酸锆的防静电陶瓷颜色比较浅,并且能明显减少氧化锡的用量,当陶瓷的表面电阻为107Ω/□量级时,用ATO包裹硅酸锆作为导电填料可以节省25%左右的ATO。 相似文献
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采用非均匀成核法制备了ATO包覆氧化硅导电粉体。正交实验的结果表明,各因素对ATO包覆纤维效果的影响从大到小依次是包覆悬过程中氧化硅的用量、包覆层溶液离子浓度、反应过程的pH值、包覆时反应温度及包覆离子溶液加入速度。通过正交实验所确定ATO包覆氧化硅粉体的合理工艺参数:包覆悬过程中氧化硅的用量保持在0.4g/mL、包覆过程的pH值控制为2.0、包覆层离子浓度为0.6mol/L、包覆离子溶液加入速度为0.5mL/min、反应温度为50℃。通过正交实验所确定的合成参数所得的复合导电粉体的电阻率只有108.1Ω.cm。 相似文献
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锑掺杂氧化锡包覆氧化硅导电粉的制备及电性能 总被引:3,自引:0,他引:3
以氧化硅粉体为载体,用非均匀成核法制备了锑掺杂氧化锡(antimony-doped tin oxide,ATO)包覆氧化硅导电粉.用电阻测试仪、场发射扫描电镜和能谱仪对粉体进行了表征.结果表明:包覆物加入量由二氧化硅用量的12.5%增加到100%时,包覆层厚度也从110 nm增加到600nm.ATO包覆氧化硅粉体的电阻率随处理温度升高的变化趋势与同条件下制备的ATO基本一致,其中包覆物加入量为100%,75%,50%的ATO包覆氧化硅粉在500~1200℃热处理后的电阻率低于200Ω·cm,1 100℃热处理后的25%包覆物加入量粉体的电阻率仅为99.9 Ω·cm.包覆物加入量为12.5%的包覆粉体的电阻率由1 100℃处理后的120.6 Ω·cm上升到1 200℃处理后的超过20 MQ·cm,这是因为包覆层较薄,在高温处理过程中包覆层上颗粒长大并收缩而使包覆层受到破坏. 相似文献
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采用水热法先合成MnFe2O4(MFO), 然后通过与PH3反应制备了磷酸根离子掺杂的MnFe2O4(PMFO), 以提高它的电化学性能。研究结果表明, 磷酸根掺杂不仅增大了MnFe2O4的比表面积, 也增加了材料的电导性。在1 A/g电流密度下, PMFO比容量为750 F/g, 与MFO相比, 比电容提高了近70%, 同时循环稳定性也得到了极大改善。以PMFO为正极、活性碳为负极的非对称超级电容器(ASCs), 在功率密度为2.7 kW/kg时, 能量密度达到168.8 Wh/kg。因此, PMFO是有极大应用前景的超级电容器电极材料。 相似文献
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金属氧化物导电粉的制备方法及国内外研究进展,着重对氧化锡类及氧化锌类导电粉的掺杂导电机理进行了分析,并对该领域的发展前景及今后的研究趋势进行了评述。 相似文献