大尺寸GaSe单晶生长和光学性能EI北大核心CSCD

通过双温区法合成了GaSe多晶原料,单次合成量可达300 g以上。通过垂直Bridgman–Stockbarger法生长了直径40 mm、长度130 mm的GaSe单晶体,测定了热学和光学性能。结果显示:吸收系数小于1 cm^–1的透过波段为0.64μm^17.80μm,吸收系数小于0.1 cm^–1的透过波段为0.64μm^12.82μm;太赫兹光谱显示有2个吸收峰,分别在0.58 THz和1.10 THz处,吸收系数均小于5.5 cm^–1;GaSe单晶体的激光损伤阈值为3.2 J/cm^2。     

推荐一个综合化学实验-ZnO:Eu3+荧光粉的制备及表征

推荐一个适于化学化工等专业开设的综合化学实验,用化学沉淀法制备ZnO:Eu3+红色荧光粉,对样品进行TG-DTA,XRD,SEM表征和发射光谱分析。通过该实验可以使学生对沉淀法制备粉体材料的过程有全面的了解,掌握发光材料的各种表征手段,培养学生的综合实验能力。     

ZnGeP2晶体点缺陷的研究进展

ZnGeP2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷V-Zn及施主缺陷VOP和Ge Zn,其相应的缺陷能级分别为E(V-Zn)=EC-(1.024±0.03)eV,E(VOP)=EV (1.61±0.06)eV和E(Ge Zn)=EV (1.70±0.03)eV.对晶体作了电子照射及高温退火等处理后,又分别发现了两种缺陷V3-Ge和Vpi.其次,利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致,但由于理论模拟与实际情况还存在差距,有些计算结果与实验结果相矛盾.因此,将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.     

第一性原理计算LiTaO_3光学性质与热力学性质

采用基于第一性原理的赝势平面波法系统计算了LiTaO3晶体的电子结构、光学性质和热力学性质。能带结构表明LiTaO3晶体重要的结构特征是Ta的6d轨道和O的2p轨道存在强的杂化作用。LiTaO3晶体极限折射率为2.4,在55 eV处有明显的光吸收、光反射和能量损失。室温时LiTaO3的恒容热容为24 J/mol·K,800 K时,徳拜温度达到873。     

正交结构与黄铜矿结构LiGaSe_2的制备及结构表征(英文)

利用水平单温区管式电阻炉,合成了LiGaSe2多晶材料,并用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)和Raman光谱对其结构进行了表征。XRD谱表明:LiGaSe2多晶材料具有正交结构或黄铜矿结构,2种结构的多晶材料都是高纯的且结晶性良好。在合成过程中,最后阶段的恒温温度及降温速率将决定LiGaSe2的物相。通过Raman谱分析,找到2种类闪锌矿振动峰,其中低频峰与Ga—Se键的晶格振动有关,而高频峰与Li—Se键的振动有关。2种结构LiGaSe2中Li—Se键和Ga—Se键力常数存在微小差异,导致2种Raman谱谱峰发生移动。     

CdGeAs2晶体的结构、弹性和电子性能的模拟计算和分析

利用基于密度泛函理论的平面波赝势法对CdGeAs2晶体的结构,弹性和电子性能进行了研究.CdCeAs2晶体具有6个独立的弹性常数,利用计算的弹性性能可以判断晶体具有机械稳定性、延性和弹性各向异性等力学特点.通过总的和部分态密度分析了不同能带的贡献成分.计算的结构参数及弹性常数与实验值基本吻合.CdGeAs2晶体具有直接...     

白酒中微量组分的气相色谱分析

白酒中含有多种微量组分,这些微量组分的存在对白酒的品质影响很大.该文采用毛细管柱气相色谱法对白酒中微量组分进行了分析,优化了实验条件,采用内标法测定了白酒中杂醇油、醛、酯等微量组分的含量.结果表明,采用SE-30毛细管柱能够很好地分离酒样.以乙酸异戊酯作为内标物,采用程序升温法,FID检测器,可以很好地测定酒样中微量组分的含量.     

ZnGeP2晶体点缺陷的研究进展

ZnGeP₂晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料. 晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP₂晶体的应用发展. 本工作介绍了ZnGeP₂晶体点缺陷的最新研究进展情况. 首先, 利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP₂晶体的点缺陷. 主要存在缺陷是受主缺陷V^-_Zn及施主缺陷V⁰_P和Ge⁺_Zn, 其相应的缺陷能级分别为E(V^-_Zn)=E_C-(1.02±0.03)eV, E(V⁰_P)=E_V+(1.61±0.06)eV和E(Ge⁺_Zn)=E_V+(1.70±0.03)eV. 对晶体作了电子照射及高温退火等处理后, 又分别发现了两种缺陷V ^3-_Ge和VPi. 其次, 利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP₂晶体的点缺陷. 主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致, 但由于理论模拟与实际情况还存在差距, 有些计算结果与实验结果相矛盾. 因此, 将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.     

正交结构LiGaS2的合成及表征

为了获得高纯单相LiGaS2多晶原料,采用LiGa与S化合法合成LiGaS2,并与传统的单质直接合成法相对比.利用垂直长石英管作为反应器,采用X射线衍射和Raman光谱对其结构进行表征,同时利用差热–热重分析和紫外光谱对其热性能和光学性能进行研究.研究表明:采用LiGa与S化合法可以获得单相、均一的LiGaS2多晶材料;LiGaS2中的Li–S键平均力常数为fLi-S=16.0 N/m,Ga–S键平均力常数为fGa-S=39.6 N/m;LiGaS2多晶料的熔点为1 020℃,温度低于1 100℃,样品很稳定,没有分解现象;白色样品、黄色样品和灰色样品的紫外吸收边分别为323,435和496 nm.