Mg_xZn_(1-x)O陶瓷靶材的制备

采用传统的常压固相烧结方法制备了MgZnO陶瓷靶材,研究了MgO掺杂量及烧结温度对MgZnO陶瓷靶材的微观结构、表面形貌、力学性能和致密度的影响。通过XRD测定靶材相结构,SEM观察靶材的断面形貌,万能实验机测量靶材的抗弯强度,维氏显微硬度仪测量靶材的维氏硬度,阿基米德排水法测量靶材密度等方法对MgZnO靶材的性能进行了分析表征。结果表明,当掺杂量为12%、烧结温度为1 450℃时所制备的陶瓷靶材最优,其各项性能均表现良好,抗弯强度为94.56MPa,维氏硬度为250.70HV0.3,相对密度为96.65%,并在最佳条件下制备出MgO摩尔掺杂比为12%的MgZnO陶瓷靶材,采用射频磁控溅射方法,于室温条件下在石英衬底上制备了MgZnO透明薄膜,利用XRD、紫外可见分光光度计等测试手段,测量薄膜的结晶性能、光学性能,制备出的薄膜结晶性能良好,薄膜在可见光区域具有较高的透过率,平均都超过80%,适用于TFT的有源层。     

胺型离子液体聚醚复配破乳剂的制备与性能

合成了硝酸正丁胺和醋酸正十二胺两种胺型离子液体,考察了它们与交联型聚醚破乳剂NJ-20复配产生的破乳脱水作用。结果表明,50℃、复配型破乳剂加入量为200 mg/L时(100 mg/L聚醚NJ-20破乳剂与100mg/L胺型离子液体复配),上述两种胺型离子液体与聚醚NJ-20复配型破乳剂对模拟原油乳状液2 h的脱水率分别达到75%和91%,而单独聚醚NJ-20破乳剂在同样的条件下其脱水率仅为65%。40℃、醋酸正十二胺复配型破乳剂加入量为200 mg/L时,对模拟原油乳状液的脱水率可达59%,明显高于单独聚醚NJ-20破乳剂,表现出较强的低温破乳效果。     

磷化处理对软磁铁粉性能影响

为提高软磁复合材料磁学和力学性能,采用还原纯铁粉为原料,利用磷化处理工艺制备绝缘软磁粉末,并用粉末冶金法制备磷化的软磁复合材料。研究了磷化程度对软磁复合材料的致密度、电阻率、粉末的显微结构和磁学性能等影响。研究表明,磷化浓度的提高可快速提高软磁复合材料的电阻率,但同时也降低了软磁复合材料的致密度、最大饱和感应强度和磁导率。当磷化浓度为0.005时,软磁复合材料的相对密度最大,为89.74%,磁学性能最好,饱和磁感应强度为1.442T,磁导率为375H/m。体视显微镜、SEM和EDS分析表明,经磷化处理的铁粉其表面被铁的磷酸盐绝缘层均匀完整地包覆,绝缘层的厚度随磷化浓度提高而升高。     

防静电陶瓷的研究进展

防静电陶瓷是一种新型的防静电产品,相比以往的防静电产品,性能更好,应用范围更广。文章简要介绍了防静电陶瓷的分类,讨论了其导电性的影响因素,综述了最新的研究进展,并展望了未来的发展方向。     

不同MgO掺杂比对Mg_xZn_(1-x)O靶材性能的影响

用传统常压固相烧结法,制备掺杂氧化镁的氧化锌陶瓷靶材,研究不同Mg O含量及烧结温度对MgxZn1-xO陶瓷靶材的微观结构、力学性能、致密度和导电性能的影响.通过X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)测定靶材相结构,扫描式电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)观察靶材的断面形貌,万能实验机测量靶材的抗弯强度,维氏显微硬度仪测量靶材的维氏硬度,阿基米德排水法测量靶材密度,四探针法测量靶材导电性能,对MgxZn1-xO靶材的性能进行了表征,分析了MgxZn1-xO陶瓷靶材的烧结机理.结果表明,MgxZn1-xO靶材的最佳烧结温度随着Mg O含量的增加有所提高.Mg O的掺杂比为x=0.12时,靶材的最佳烧结温度是1 450℃;掺杂比为x=0.20时,靶材的最佳烧结温度约为1 500℃.相同烧结温度下,随着Mg O掺杂比的增加,靶材的致密性增大;靶材抗弯强度先升后降,掺杂比为x=0.12时达到最大值,为94.56 MPa.靶材硬度随着Mg含量的增加渐增,在1 450℃烧结,掺杂比为0时维氏硬度为152.000 N/mm2,掺杂比为x=0.40时维氏硬度为364.045 N/mm2.靶材的导电性随着Mg O掺杂比的增加呈渐减趋势,掺杂比为0时,方块电阻为819.36Ω;掺杂比为x=0.40时,方块电阻增至30.00 MΩ.