UO_2(HCOO)_2·H_2O在290K-10K的红外光谱及~(235)U-~(238)U同位素位移的研究

本文通过测定甲酸铀酰[UO_2(HCOO)_2·H_2O]在290K-10K的红外光谱,确定了该化合物铀酰基团(O-U-O)v_(as)振动峰位,研究了温度对峰宽、峰位的影响,并采用差减及峰内标法估算了甲酸铀酰在290K-10K的同位素位移值。测得290K,77K及10K时~(238)U的v_(as)值分别为931.90cm~(-1),930.82cm~(-1)和930.74cm~(-1),~(235)U-~(238)U同位素位移△v分别为0.63cm~(-1),0.67±0.18cm~(-1)和0.71±0.21cm~(-1),位移值与理论计算值接近。     

基于SOC的串联锂离子电池组均衡策略研究

由于一致性问题的存在,成组电池在可用容量、使用寿命等方面远不及单体电池,电池组的均衡管理对电池的成组使用者有着重要的实际意义.论文就针对锂离子串联电池组的均衡技术进行了研究,首先介绍了电池组一致性问题产生的原因,指出均衡管理的重要意义,分析了锂离子电池组SOC的一致性和基于SOC的均衡策略,详细阐述了基于SOC的均衡技术实现,最终搭建实验平台进行测试,验证了所使用的均衡策略和硬件电路的有效性.     

基于Windows Server2008的IPV6 FTP服务器的设计与实现

基于Windows Server2008设计并实现了支持IPV4和IPV6协议的FTP服务器。对IPV4环境中的应用程序向IPV6迁移进行了实质性的探索和研究。该文是使用Windows Server2008 IIS70搭建FTP服务器,并用SmartFTP实现访问。     

钕对(NH4)6[CrMo5LaO24H6]·16H2O的气相渗制备MoN及电性能

报道了钕对 (NH4)6[CrMo5LaO24H6]·16H2O气相渗制备MoN的方法及电性能研究.根据TG-DTA测试结果确定了稀土扩渗的温度为800℃,扩渗后的化合物经XRF分析测试表明,微量的Nd可渗入到杂多金属氧酸盐的体相,Nd的渗入量为0.1347%;对比扩渗前后化合物的XRD谱图发现,扩渗前后化合物的衍射峰有明显的不同,并证实生成新的化合物MoN.利用四电极直流法对扩渗前后样品的导电性能进行了测试,结果表明其导电性能发生了显著的变化,由渗前的5.875×10-8S·cm-1,提高到扩渗后1.030×102S·cm-1,提高了1.753×109倍.     

配变监控终端交流采样快速算法的研究及应用

针对在配变监控终端中通过傅里叶算法从电力信号获得基波分量耗时长的问题,提出了通过FIR滤波可对电流互感器进行相位补偿的快速算法,并在运行中得以应用.     

一种基于PCC的立体车库设计

针对城市中日益增长的车辆停放问题,介绍了一种巷道式的立体车库的结构和工作原理以及PCC（可编程计算机控制器）在本立体车库中的应用.详细阐述了这种基于PCC控制的立体车库机械部分和控制系统的设计过程,并对实体车库模型的运行做了分析模拟.     

非开挖顶管施工技术在市政工程中的应用

在市政工程中,非开挖顶管技术非常适宜不需开挖、不宜开发等处地下管道的敷设。该技术在工作坑中安装相应的顶管装置,继而将管道安装到土质结构中,能有效避免周边土质对管道产生影响,同时也减少了开挖敷设项目及其带来的不便和环境影响。本文结合案例,介绍非开挖顶管施工技术的优势、注意事项以及在市政工程中的应用实践,以期同行参考。     

Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性

提出在Ni中掺入夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性．具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□．经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成．Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃．Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1．     

Ni(Pt)Si硅化物温度稳定性的研究

对比研究了夹层结构N i/P t/N i分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性。实验结果表明,在600~800°C范围内,掺P t的N iS i薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100~150°C。依据吉布斯自由能理论,对在N i(P t)S i薄膜中掺有2%和4%的P t样品进行了分析。结果表明,掺少量的P t可以推迟N iS i向N iS i2的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性。最后,制作了I-V特性良好的N i(P t)S i/S i肖特基势垒二极管,更进一步证明了掺少量的P t改善了N iS i肖特基二极管的稳定性。     

Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性

提出在Ni中掺人夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成.Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃.Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1.