用AES对冰晶石薄膜的分析与电子束对薄膜的破坏

本工作研究了冰晶石光学薄膜在2KeV电子束照射下AES的变化规律。在很低照射量下发现了一个文献未曾报道过的52.5eV的峰,并确定了它是Al(L_(23))F(L_(23))F(L_(23))′的原子间Auger跃迁。测量了一些谱峰高度随照射量的变化规律,发现可以用指数型关系外推至零照射最,从而可对薄膜作出定量AES分析。此外,还讨论了冰晶石薄膜在电子束照射下破坏较快的机理。     

MlNi_4Co_(0.6)Al_(0.4)储H_2合金表面吸H_2的TDS研究

用热脱附谱 (TDS)对不同表面处理的富La混合储H2 合金MlNi4 Co0 6Al0 4 粉末样品进行H2 气吸附和脱附特性的比较和研究。未经表面处理的粉末样品 ,只测到一个H2 脱附峰 (α峰 ) ,脱附温度在 40 0K左右 ;经 6molKOH溶液 ,在 80℃下处理 6h的MlNi4 Co0 6Al0 4 粉末样品 ,有 2个H2 热脱附峰 (β峰和γ峰 ) ,脱附温度分别在 5 40和 6 30K处 ;而用 6molKOH 0 0 2molKBH4 溶液处理后 ,则有 3个H2 热脱附峰 (α峰 ,β峰和γ峰 ) ,脱附温度分别在 40 0 ,5 30和 6 40K处。TDS研究表明 ,热碱加还原的处理使材料表面对H2 气吸附的活性和容量提高 ,并使各个吸附态的扩散和转变更加容易。     

利用紫外光电子谱和第一性原理确定四苯基卟啉的结构与电子态

利用第一性原理确定了四苯基卟啉分子的结构模型,结果表明分子中的苯环与卟吩骨架的夹角为55°,且苯环的自由旋转导致卟吩骨架略微偏离平面形状。再利用紫外光电子谱（UPS）研究了四苯基卟啉在Ru（0001）面的沉积过程,饱和沉积后出现了分子的4个特征峰。对UPS的DV-Xα分析解释了上述光电子谱中四个特征峰的物理起源。     

改质沥青的研制

本文扼要地介绍了太钢焦化厂创造热聚合—回配工艺研制改质沥青的情况。文中通过一些实例分析,揭示了沥青的BI、QI、软化点等主要质量指标与热聚合温度、时间的关系,以及BI与软化点之间的函数关系。为了比较,文中还介绍了国内外有关沥青粘结剂的质量标准和国内改质沥青生产的各种工艺路线。     

MlNi4Co0.6Al0.4储H2合金表面吸H2的TDS研究

用热脱附谱(TDS)对不同表面处理的富La混合储H2合金MlNi4Co0.6Al0.4粉末样品进行H2气吸附和脱附特性的比较和研究。未经表面处理的粉末样品,只测到一个H2脱附峰(α峰),脱附温度在400K左右;经6molKOH溶液,在80℃下处理6h的MlNi4Co0.6Al0.4粉末样品,有2个H2热脱附峰(β峰和γ峰),脱附温度分别在540和630K处;而用6molKOH+0.02molKBH4溶液处理后,则有3个H2热脱附峰(α峰,β峰和γ峰),脱附温度分别在400,530和640K处。TDS研究表明,热碱加还原的处理使材料表面对H2气吸附的活性和容量提高,并使各个吸附态的扩散和转变更加容易。     

用于激光热疗的激光抽运高掺杂光纤光热头研究

利用晶体光纤中高掺杂离子的非辐射跃迁机制,研制成功一种可用于激光热疗的高掺杂光纤光热转换头。在一个809nm半导体激光器抽运下,光热头在空气和蛋清样品中分别产生最高达465℃(抽运功率为1124mW)和98℃(抽运功率为933mW)的温度,已足够用于激光热疗。同时,光热头在温度稳定性、热响应时间、生物相容性、抗热冲击强度和化学稳定性等方面均能满足要求。     

室温Fe(110)面CO吸附的HREELS和LEED研究

本工作用HREELS和LEED对CO在室温Fe(110)面上的吸附进行了研究。HREELS的结果表明,在CO暴露量小于2L时,只有分子态的CO直立吸附于表面顶位。在暴露量大于2L时,出现了一个新的能量损失峰,其频率比分子吸附CO的CO—Fe振动频率更低,为414cm~(-1)。这是分解的CO的C吸附于表面产生的能量损失。在CO暴露量为40L时,观察到了(5×1)的CO吸附结构,在表面CO吸附接近饱和时,观察到了(2×1)结构。     

CO和K在W(100)面上共吸附的HREELS研究

用高分辨电子能量损耗谱(HREELS)对CO和K在W(100)面的共吸附进行了研究。发现在有K沉积的W(100)面上,代表CO分子在顶位吸附时碳氧伸缩振动频率的损耗峰由255meV向低频率方向移动,该峰在CO饱和吸附时的强度随K的覆盖度增加而减小。在有K和CO的W(100)面上,观察到了一个与K覆盖度大小有关的新的能量损耗峰,其位置在100meV左右,在CO暴露过程中,它比255meV处的损耗峰更早出现。它联系着一种CO受K影响的能量更抵的吸附状态。我们归之为“斜躺”的CO分子振动频率。当K的覆盖度增大到0.06后,CO和K在180～220meV之间形成了两个能量损耗峰,它们与CO分解后在表面形成K—O复合物的振动模式相关。     

硅表面液相钝化膜及其界面的俄歇能谱研究

随着半导体技术的不断发展,新的工艺和技术不断出现,与此同时对新工艺及其结果有足够的认识也是十分必要的。本实验就是基于这一目的,对硅器件工艺中最新采用的液相钝化膜作详细分析,为了对其结构有足够深入的了解,我们同时分析了氧离子注入氧化膜,自然氧化膜,真空室制备的氧化膜,热生长氧化膜及离子溅射氧化膜,以便比较其结构上之差别。结果发现,无论是哪一种氧化膜,其Si—SiO_2界面层都不是单纯的SiO_2,而是SiOx(1≤x≤2)。除液相钝化膜外,其他各种界面过渡层均含Si(e~-O_3)及O_2—Si结构,而且热生长氧化膜和离子溅射氧化膜的过渡层中还存在Si—Si_4原子团。