利用同步晶化法制备的镍纳米晶的电荷存储特性

快速退火纳米晶化法是目前常用的金属纳米晶制备方法,但其后续600~900℃高温退火会降低器件的电学特性和可靠性。本文提出了热预算低的金属纳米晶制备的新方法—沉积过程中的同步金属薄膜原位纳米晶化法,可以省掉后续单独的退火处理工艺,使金属薄膜同步产生纳米晶化,降低工艺热功耗及简化工艺,从而有效地改善上述薄膜沉积后退火纳米晶化法的不足。在不同衬底温度（250~325 ?C）下,利用同步纳米晶化法制备镍纳米晶存储器。随着生长温度的增加,其存储窗口先增加到最大值再降低。衬底温度为300 ?C时,其存储窗口（2.78 V）最大。与快速热退火法镍纳米晶存储器相比较,同步纳米晶化法制备镍纳米晶存储器具有更强的电荷存储能力。另外,研究了不同操作电压和脉冲时间下器件的平带电压偏移量,当操作电压增加到±10 V时出现了较大的平带电压偏移量,这表明器件发生了大量的载流子（电子和空穴）注入现象。最后,模拟了金属纳米晶存储器的载流子（电子和空穴）注入和释放过程。     

工业炼铝方法的突破性进展

一、序言曾作为19世纪贵重金属的铝,如今已成为一种仅次于铁的普通金属了。新近开发的铝合金和铝复合材料是作为汽车部件、铁路车辆及航天器新型优质材料。随着铝材使用范围的日益扩大,对其需求量日益增加。据统计,当初     

ZnSe纳米晶材料的超快吸收谱

通过改进的溶剂热方法,以KBH4作为还原剂,在三乙胺溶液介质中制备了ZnSe纳米晶材料.与ZnSe体材料相比,其纳米材料的稳态吸收边发生了蓝移,而且纳米颗粒的尺寸越小,蓝移量越大,这是由于随着尺度减少而引起的量子限制效应增强造成的.对在溶液中的ZnSe纳米颗粒的超快吸收谱的研究表明,当纳米颗粒的平均尺寸为75nm时,电子-声子散射时间为8.74ps;当平均尺寸为45nm时,散射时间为2.77ps.随着纳米颗粒尺寸的减小,载流子与颗粒表面的非弹性碰撞几率增加,从而使载流子-声子耦合的强度增强,导致载流子-声子散射时间缩短.     

Ge/Si量子阱结构的C-V特性的模拟

采用有限深对称方势阱近似模型求解薛定谔方程得到Ge/Si量子阱中的子能级分布,并基于迭代法数值求解泊松方程模拟计算了量子阱结构样品在不同偏压下的载流子浓度分布和C-V特性.C-V曲线上电容平台的存在是量子阱结构C-V特性的显著特征,它与量子阱结构参数有密切的关系.随着覆盖层厚度的减小,C-V曲线上平台起始点的电容值增加,并且向低电压方向移动直至其消失.随着量子阱中的掺杂浓度提高,阱中的载流子浓度也会相应增加,那就需要更高的外加电压才能耗尽阱中的载流子,因此平台宽度也就随着掺杂浓度的增加而增加.当覆盖层厚度增加时,由于电压的分压作用,使得降在量子阱上的分压相应减少,因此需要更大的外加偏压才能使阱中载流子浓度全部耗尽,这就使平台的宽度增大.同样地,当覆盖层掺杂浓度增加时,覆盖层中更多的载流子转移到阱内,也就需要更高的外加偏压才能使阱中载流子全部耗尽,平台的宽度也就随之增大.     

异质结太阳能电池的仿真模拟研究和界面态密度对效率的影响

大量文献已经报道非晶硅/晶体硅异质结电池每层材料的参数对电池的影响,如厚度、掺杂浓度等,但是并没有进一步给出透明导电氧化物薄膜TCO的功函数对电池的影响以及如何选择合适的TCO,也很少有报道界面态密度对异质结太阳能电池的影响机理。本研究表明,对于n型单晶硅片为衬底的异质结电池,发射场的TCO功函数越大越好,最佳范围是5.4～6.3 eV。对于背场的TCO功函数越小越好,最佳范围是3.6～4.0 eV。另外研究表明,对于n型衬底的非晶硅/晶体硅异质结电池(HIT电池),与衬底背面与非晶硅的界面态(Dit2)相比,衬底前表面与非晶硅的界面态(Dit1)是影响电池性能的主要因素,并且Dit1和Dit2态中,与类施主态相比,对电池效率起到主要影响作用的都是类受主态。     

杂质对一维单原子链中晶格振动的影响

对一维完整单原子链的晶格振动、加入杂质原子后的晶格振动与局域振动模的分布情况以及在自由边界条件下的晶格振动进行了研究。首先介绍了在完整晶格情况下的晶格振动,对一维单原子链进行讨论,并给出明晰的晶格振动图像。然后对完整晶格进行掺杂处理,详细讨论了杂质原子对一维单原子链的晶格振动的影响和杂质所引起的局域振动情况。最后对自由边界条件下一维单原子链的晶格振动进行了讨论。     

用椭圆偏振测量法分析碲镉汞的组分及其均匀性

简略介绍了椭偏仪的测量原理和测量装置。分析了Hg1-xCdxTe(MCT)的 组分与椭偏仪的参数Δ和ψ之间的关系,结果发现碲镉汞的组分x主要与椭偏仪的参数ψ有关,而且x与ψ的经验关系为ψ＝14．84－10.22x。最后椭圆偏振测量的方法分析了碲镉汞的横向和纵向组分均匀性。该方法具有非破坏性、有效、快捷的特点。     

《标准电极电位数据手册》纠错若干例──兼与吴维昌商榷

对《标准电极电位数据手册》的若干错误进行了分析和订正。