西德硅材料生产技术考察报告

1979年11月8日至12月6日,笔者作为一机部赴西德、瑞士大功率可控硅技术考察组的成员,着重对西德的硅材料生产技术进行了考察,本文主要介绍西德西门子公司、瓦克化学电子公司的硅材料生产技术,西德原子能研究中心的中子掺杂技术及有关功率器件公司在硅材料方面的研究工作。     

纯氩气氛下生长直径70毫米区熔硅单晶的工艺

本文概述了拉制大直径区熔硅单晶的试验工作,着重介绍硅单晶的生长设备、氩气净化、加热线圈、操作参数、等诸方面的工艺技术条件。     

小内径加热线圈的提出——改善区熔硅单晶径向电阻率不均匀性的工艺探讨之一

关于改善区熔硅单晶径向电阻率不均匀性的工艺报告,共分三篇,即:《小内径加热线圈的提出》、《加热线圈内径计算公式的原理和推导》、《加热线圈内径计算公式的应用》,报告将先后在本刊发表。 本文对一九七六年一月发表的《提高区熔硅单晶截面电阻率均匀性的工艺探讨》一文,作了必要的修改和补充。介绍了区熔法〈111〉方向N型高电阻率的硅单晶工艺中,采用了小内径加热线圈、低功率、粗腰生长工艺,改善了径问电阻率的不均匀性,并对小内径加热线圈导致径向电阻率不均匀性改善的机理,作了初步的分析。     

PBT/埃洛石纳米管复合材料的结构与性能

采用熔融共混的方法,制备了聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)/埃洛石纳米管(HNTs)复合材料,并对PBT/HNTs复合材料的结构与性能进行了研究.结果表明,随着HNTs用量的增加,复合材料的拉伸性能、弯曲性能和维卡软化温度明显提高,但是缺13冲击强度有所降低.动态力学性能分析表明:HNTs的加入使得复合材料的储能模量上升,力学损耗降低.差示扫描量热分析表明:HNTs的加入提高了体系的结晶温度.扫描电镜结果显示:HNTs能够以纳米尺度均匀地分散于PBT基体中.     

GIS耐压击穿故障无线定位系统设计与应用

针对GIS耐压试验击穿故障精确定位比较困难的问题;文中在分析GIS耐压击穿时特征信号特性的基础上,结合信号采集、无线传输、智能分析技术,设计一套GIS耐压击穿故障无线定位系统.该系统通过无线自组网的形式,将击穿时刻的特征信号以无线的方式上传至系统数据服务器进行数据分析,并计算击穿故障点精确的位置;同时系统具有较强的抗干...     

基于dsPIC的智能无触点开关控制器设计

笔者设计了一种智能无触点开关控制器,该控制器是由智能微控制器dsPIC和电力电子器件IGCT组成的一种新型开关器件。与电磁式有触点开关相比,具有无触点、快速、无火花、低开关损耗、可靠性高、使用寿命长等特点,并且通过微控制器实现对开关的监控和保护。整个开关控制器系统实现了控制功能、保护功能、测量功能、显示功能。     

加热线圈内径计算公式的应用——改善区熔硅单晶径向电阻率不均匀性的工艺探讨之三

本文叙述了加热线圈内径计算公式的实际应用及与三相适应的晶体生长工艺。     

加热线圈内径计算公式的原理和推导——改善区熔硅单晶径向电阻率不均匀性的工艺探讨之二

在《小内径加热线圈的提出》一文及西德W.Keller的报告中,都以大量的实验数据证实了采用小内径加热线圈等工艺,是改善区熔硅单晶径向电阻率不均匀性的有效途径,但都缺乏理论上的论证。 本文对区熔法加热线圈所造成的熔区和磁场空间,分别建立了数学—物理模型,再从能量转化和能量守恒的原理出发,推导了在最佳耦合状态下加热线圈和原料直径的关系,最终获得了加热线圈内径计算公式。 加热线圈内径计算公式的原理和推导过程,实际上也是从理论上对小内径加热线圈得以改善径向电阻率不均匀性的机理,作了比较透彻的论证。     

大型碎石矿生产自动化集散控制系统

本介绍了大型碎石矿的生产自动化集钐控制系统，整个集成控制系统分为二级。第一级为计算机控制系统，采用了一台ｃｏｍｐａｑ５８６／７５计算机。第二级为可编程序控制器系统，采用了四台ＳＬＣ５／０４ＰＬＣ。系统根据生产过程相对独立性，由每台ＰＬＣ分别０完成破碎，筛分，输送，配料及装船等任务、通过ＤＨ＋网络进行计算机与ＰＬＣ，ＰＬＣ与ＰＬＣ之间的通信，构成系统分散，集中控制的集成控制系统。     

消弧线圈并联小电阻的灵活接地方式

针对中性点经消弧线圈接地方式对永久性故障选线不够快速、准确,经小电阻接地方式无法区分故障类型的缺陷,结合消弧线圈接地方式供电可靠性高、小电阻接地方式可快速切断故障等优点,提出消弧线圈并联小电阻的灵活接地方式,其基本思想是正常运行和发生瞬时接地故障时投入消弧线圈,发生永久性接地故障时投切小电阻,实现中性点接地方式的灵活转换。介绍了消弧线圈并联小电阻灵活接地装置的组成、工作原理和小电阻的参数选取,并通过2个实际案例说明这种灵活接地方式可降低线路跳闸率,提高供电可靠性,适用于电缆线路和架空线路混合的城市配电网。