第三代半导体生产应用“四高两涂”碳基材料的技术现状

近年来,PVT生长SiC单晶方面取得了显著的进展。SiC粉是PVT法生长SiC单晶原料,其纯度会影响单晶质量,而C粉纯度决定SiC粉纯度;高纯硬毡、高纯石墨是生长单晶设备的必备组件,决定着PVT设备使用性能;SiC涂层、TaC涂层为石墨制品的保护涂层,保护晶体生长过程中不被污染。本文主要介绍了“四高两涂”的制备方法及研究现状。