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Grachev  A. I. 《Semiconductors》2022,56(2):67-70
Semiconductors - In this work, we discuss for the first time the principle of rotation in the constant electric field of a conducting particle with participation of the Lorentz force, which ensures...  相似文献   
4.
Koroteev  A. S. 《Atomic Energy》2021,130(4):202-208
Atomic Energy - The history and direction of further development of space nuclear energetics are examined. The functional diagram and principle of operation of a promising, powerful,...  相似文献   
5.
Xiao  Zhu  Chen  Yanxun  Jiang  Hongbo  Hu  Zhenzhen  Lui  John C. S.  Min  Geyong  Dustdar  Schahram 《Wireless Networks》2022,28(7):3305-3322
Wireless Networks - Unmanned aerial vehicles (UAV) have been widely used in various fields because of their high mobility and portability. At the same time, due to the rapid development of...  相似文献   
6.
7.
Journal of Computer and Systems Sciences International - It is shown that the Lyapunov theorem on the distribution properties of the sum of random variables with different distribution densities...  相似文献   
8.
Refractories and Industrial Ceramics - The paper introduces a promising technology for utilizing a traditional scheme for implementing a flow-through micro-arc oxidation method to restore localized...  相似文献   
9.
Theoretical Foundations of Chemical Engineering - On the basis of the classic concepts of the theory of solid-phase combustion, for the first time, a model with a detailed scheme of chemical...  相似文献   
10.
In this study, dilute chemical bath deposition technique has been used to deposit CdZnS thin films on soda-lime glass substrates. The structural, morphological, optoelectronic properties of as-grown films have been investigated as a function of different Zn2+ precursor concentrations. The X-ray diffractogram of CdS thin-film reveals a peak corresponding to (002) plane with wurtzite structure, and the peak shift has been observed with the increase of the Zn2+ concentration upon formation of CdZnS thin film. From morphological studies, it has been revealed that the diluted chemical bath deposition technique provides homogeneous distribution of film on the substrate even at a lower concentration of Zn2+. Optical characterization has shown that the transparency of the film is influenced by Zn2+ concentration and when the Zn2+ concentration is varied from 0 M to 0.0256 M, bandgap values of resulting films range from 2.42 eV to 3.90 eV while. Furthermore, electrical properties have shown that with increasing zinc concentration the resistivity of the film increases. Finally, numerical simulation validates and suggests that CdZnS buffer layer with composition of 0.0032 M Zn2+ concentration would be a promising candidate in CIGS solar cell.  相似文献   
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