济阳坳陷罗151井区火成岩储层特征

罗151火成岩油气藏岩性复杂、储集空间多样、非均质性强，储层评价困难。通过岩心观察、电镜扫描等基础资料分析和储层物性资料的对比分析，对罗151火成岩储层的岩石学特征、储层特征、成岩后生改造等做了详细的研究；通过压汞测试技术，分析各相带储集岩的孔隙结构，根据储层分类评价标准，划分各类储层。研究表明，孔隙结构上，角岩物性较好；辉绿岩中心带上边缘带次之；侵入岩下部接触带辉绿岩难以形成有利储层。通过对罗151井区火成岩储层特征研究，完成了优质储层预测，为该区进一步的勘探开发指明了方向。     

溶胶-凝胶法制备纳米TiO2薄膜

用溶胶-凝胶法，以钛酸丁脂为先驱体、无水乙醇为溶剂、二乙醇胺为络合剂，以载玻片为基体采用溶胶．凝胶浸渍提升法制备纳米TiO2薄膜。探讨制备过程中影响薄膜质量的因素，用NDJ-8S数字显示粘度计测定溶胶在溶胶．凝胶过程中的粘度随存放时间的变化；差热分析仪分析有机物的热分解行为和晶型转变；红外光谱仪对干凝胶相组成进行分析；扫描电镜对薄膜的表面形貌、颗粒的均匀性等进行研究。结果表明；可在玻璃基体上镀上纳米TiO2薄膜；粘度随着陈化时间成正比关系；薄膜表面光滑，颗粒较均匀且达到纳米级颗粒。     

支持向量机在文本特征提取中的应用研究

在文本自动分类中,针对如何进行文本特征的选择和提取这一关键和基础性工作,提出用支持向量度量词汇对分类的贡献,然后进行文本特征的提取。实验结果表明,该方法可以在确保分类信息不损失的前提下,降低向量空间的维数,提高分类器效率和分类准确率。     

Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD

AlGaN/GaN npn heterojunction bipolar transistor structures were grown by low-pressure MOCVD. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) measurements were carried out to study the Mg memory effect and redistribution in the emitter-base junction. The results indicated that there is a Mg-rich film formed in the ongrowing layer after the Cp₂Mg source is switched off. The Mg-rich film can be confined in the base section by switching off the Cp₂Mg source for appropriate time before the end of base growth. Low temperature growth of the undoped GaN spacer suppresses the Mg redistribution from Mg rich film. The delay rate of the Mg profile in sample C with spacer growing in low temperature is about 56 nm/decade, which becomes sharper than 80 nm/decade of the samples A and B without low temperature spacer.     

梯形聚甲基/苯基倍半硅氧烷的合成及其热稳定性研究

选用甲基三氯硅烷和苯基三氯硅烷为主要原料合成了梯形聚甲基倍半硅氧烷(有机硅树脂Ⅰ)和梯形聚苯基倍半硅氧烷(有机硅树脂Ⅱ).并进行了红外光谱和差热分析.     

过程控制工程课程教学改革与实践

过程控制工程是自动化专业的一门重要的工程技术专业课,是密切结合过程工业实际的技术性课程。针对过程控制实际发展情况和社会对过程控制工程技术人员的需求,本文介绍了过程控制工程课程教改实践的具体措施和经验。实践表明这一改革取得了良好的效果。     

黑臭河道底泥烧结透水砖与性能研究

以黑臭河道底泥为主要材料,分别对其进行550℃煅烧和非煅烧预处理,辅以粗骨料、粉煤灰、水玻璃和废玻璃在高温下烧结成两种透水砖.研究了底泥掺量、成型压力、保温时间对两种透水砖的抗压强度和透水性能的影响.结果表明在底泥掺量20％～60％区间,采用未经煅烧处理的底泥制备的透水砖最高抗压强度为22.8 MPa,透水系数1.55×10-2 cm/s,达不到JC/T 945-2005《透水砖》抗压强度要求.采用煅烧处理的底泥制备的透水砖在污泥掺量为44％时,达到最大抗压强度37.5 MPa,同时透水系数为1.68×10-2 cm/s,符合JC/T 945-2005《透水砖》Cc35要求.成型压力和保温时间对两种透水砖的性能影响规律相似,皆表现为抗压强度随成型压力的增加而增加,透水系数随成型压力的增加而减少;抗压强度随保温时间的增加而增加,透水系数随保温时间的增加,先增加后减少.     

凝胶色谱净化-毛细管气相色谱法测定渔业水体中乐果

建立凝胶色谱净化-毛细管气相色谱法测定养殖水体中乐果的分析方法。三氯甲烷萃取水样,经凝胶渗透色谱(GPC)净化除去脂类、色素等,采用脉冲不分流进样模式气相色谱法分析,外标法定量。方法检测限为0.022μg/L;加标水平为1.00μg/L时,实际样品回收率为82.5%～97.1%。该方法自动化程度高、净化效果好、重现性好、准确灵敏。实际样品检测结果表明,此方法满足复杂水体中乐果残留检测要求。     

Fabrication of hexagonal gallium nitride films on silicon (111) substrates

Hexagonal gallium nitride films were successfully fabricated through ammoniating Ga2O3 films deposited on silicon (111) substrates by electrophoresis. The structure, composition, and surface morphology of the formed films were characterized by X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), scanning electron microscopy (SEM), and transmission electron microscopy (TEM). The measurement results reveal that the polycrystalline GaN films with hexagonal wurtzite structure were successfully grown on the silicon (111) substrates. Preliminary results suggest that varying the ammoniating temperature has obvious effect on the quality of the GaN films formed with this method.     

生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响

利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜,研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN薄膜的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InAl-GaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量结果表明,随着生长温度的提高,InAlGaN外延层中In的组分单调降低,Al和Ga的组分都有所增加.扫描电镜(SEM)的测试结果表明,在较高温度下(600和590℃)生长的In-AlGaN存在裂纹,580℃生长的四元合金表面比较平整,在570℃温度下生长的InAlGaN表面存在很多颗粒状突起.