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本文介绍的基于信息的智能控制理论的发展过程,主要分为智能控制的信息指标和智能控制的信息结构分析两部分,文中在最后对这套理论可能的发展方向进行了探讨。 相似文献
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在KZON-50/120空分设备的安装调试和试运行过程中,对其机械和电器部分进行了多处改造,克服了原设计中存在的不足之处。改造后,机械和电器性能更加趋于合理,操作简单,便于维护,降低了制气费用,提高了制气纯度和经济效益,保证了空分设备更加安全可靠运行。 相似文献
6.
针对中小型企业销售管理的现状,利用J2EE架构技术设计了面向中小型企业的销售管理信息系统,该系统具有良好的跨平台性和可移植性,并且经过测试运行,达到了预期的效果。 相似文献
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半导体晶圆制造车间层控制的内容及方法 总被引:2,自引:0,他引:2
半导体晶圆制造企业是资本密集、技术密集型产业,晶圆制造厂也是公认生产最为复杂的工厂之一。产品更新换代快、市场竞争激烈等特点使得投资者对设备产能和设备利用率高度重视。这已不仅仅是技术问题,而是生产制造过程管理的问题。本文介绍了半导体晶圆制造车间层控制的内容及方法。 相似文献
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掺铒光纤放大器(EDFA)和拉曼放大器(FRA)的使用,使得光纤通信系统中的入纤功率有了很大的提高.较高的入纤功率不仅会在光纤中引起各种非线性效应,对光脉冲的传输产生影响,也会对光纤本身的可靠性产生影响,为此介绍了高入纤功率对光纤系统的影响,分析了其产生的机理,并提出了应对措施. 相似文献
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Yixin HUA F.R.Sale 《材料科学技术学报》1996,12(5):389-394
The reduction rate and microstructural changes of imperial smelting furnace (ISF) sinter have been investigated by means of thermogravimetric analysis, X-ray difFraction (XRD), scanning electron microscope (SEM ), energy dispersive analysis of X-ray (EDAX) and optical microscope.It is demonstrated that the overall reaction rate of the reduction is influenced by temperature and hydrogen partial pressure in H2 /N2 gas mixtures. There are two distinct zones observed in the partially reduced sinter. The reduction of zincite proceeds predominantly in a narrow range between the two zones, while the reduction of tead oxide and silicate takes place throughout the sinter. The differences between zincite and lead oxide or silicate in reducibility are analysed by thermodynamlcs. The phase transformations and microstructural changes occurring during the reduction process are discussed 相似文献
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In this paper, the detectivity is calculated and analyzed with the front-or backside illuminated case for both N-GaSb/p2-Ga0.8In0.2As0.19Sb0.81/p1-Ga0.9In0.1As0.09Sb0.91 and N1-GaSb/n2-Ga0.9In0.1As0.09Sb0.91/p-Ga0.8In0.2As0.19Sb0.81 infrared photovoltaic detectors, respectively. The analysis results show that the main absorption appears in the p-type Ga0.8In0.2As0.19Sb0.81 material with either front- or backside illuminated case for above two structures. In each structure, the carrier concentration obviously affects the detectivity. The carrier concentration in the wide-bandgap material for the isotype heterojunction should be reduced as low as possible to reduce the tunneling rate at the isotype heterointerface. Moreover, the change of the detectivity with the p-side surface recombination velocity for the N1-n2-p structure is more sensitive than that with the p1-side surface recombination velocity for the N-p2-p1 structure. In the N-p2-p1 structure with the incident light from the p1-side surface, two-color detection is achieved. 相似文献