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由于依靠声子进行热传导的特性,石墨烯具有异乎寻常的高热导率。理论和实验研究均已证明,单层石墨烯的热导率可达5 000 W·m-1·K-1以上,是目前已知热导率最高的一种材料。然而,单层石墨烯由于厚度薄、片径小等几何尺寸上的原因而很难在宏观尺度上获得实际应用。得益于化学方法制备高质量石墨烯粉体的快速发展,将石墨烯粉体制备成柔性的高导热石墨烯纸是近几年的热点研究方向之一。虽然石墨烯纸的面内热导率已经能够达到1 000 W·m-1·K-1以上,但与单层石墨烯的热导率仍存在较大的差距,且纵向热导率低。近几年,科研人员从大尺寸石墨烯粉体的采用、石墨烯纸微观结构的优化、还原处理方法的改进、石墨烯与其他物质混合等方面进行了研究,在提高石墨烯纸的热导率上取得了比较显著的效果。本文综述了有关石墨烯纸的研究进展,介绍了石墨烯纸的制备方法,并分析影响石墨烯纸热导率的因素,讨论增强石墨烯纸热导率的方法,总结了提高石墨烯纸热导率的研究思路和发展趋势,最后展望了石墨烯纸在热管理领域的应用。 相似文献
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Tantalum pentoxide (Ta2O5) and ultraviolet reflective (UVR) multilayer films were deposited on quartz glass substrates by an electron beam evaporation system equipped with a hall ion source, respectively. The optical properties of Ta2O5 film and the UVR film under the vacuum ultraviolet irradiation were investigated. It is found that the mean transmittance of the Ta2O5 thin film decreased in the 300—500 nm region. The refractive index and extinction coefficient of the single layer increased during the range of 300—1 000 nm, with the variation rate of refractive index less than 1%, which is mainly due to the larger surface roughness and variation of the chemical state of Ta atoms on the surface caused by the irradiation. The mean reflectance of UVR film decreased from 96.5% to 95.4% during the range of 290—450 nm, indicating that the Ta2O5 and UVR films have excellent vacuum ultraviolet irradiation resistant properties. 相似文献
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Theoretical analysis and experimental study on the thickness distribution of Ta2O5 film evaporated on the inner-face of a hemispherical substrate are demonstrated. It is derived that the value of n/R and L/R influence the film thickness distribution (where R is the radius of the hemisphere, n and L are the horizontal distance and vertical height between the evaporation source and the center of the hemisphere, respectively). The whole hemispherical substrate can be coated when n≤L+R, otherwise there is a “blind area” on the substrate when the substrate is self-rotating. A hemispherical composite substrate with a radius of 200 mm is coated with Ta2O5 protective film under a certain configuration, the thickness of Ta2O5 film at the edge is 0.372 times the film at the vertex which shows that the evaporation characteristics of Ta2O5 tend to be a point source. 相似文献
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用溶胶-凝胶法在非晶玻璃上制备VO2薄膜,经过熔融、涂膜、烘干和热处理等工艺最后得到电阻相变2~3个量级的VO2薄膜.对烘干温度、熔融温度、膜厚和热处理温度对薄膜电阻开关特性的影响进行了研究.通过AFM,XRD和XPS对薄膜的结构和特性进行分析. 相似文献
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目的研究ITO/WO_3/LiTaO_3/NiO_x/Al反射式无机全固态薄膜中WO_3薄膜在高温环境中的性能退化机理。方法采用直流反应磁控溅射法制备电致变色器件和WO_3单层薄膜,并进行高温加热试验。对电致变色整体器件进行反射率变化量的测试,对WO_3薄膜进行微观结构分析和电化学循环特性分析。结果电致变色器件经不同温度加热后,350℃以下,反射率变化量下降不明显,350℃以上反射率变化量明显降低,WO_3薄膜发生了非晶结构向晶体结构的转变。WO_3薄膜的电化学循环特性为:随着加热温度的升高,电致变色响应时间增大,350℃以上,响应时间急剧增大,电致变色性能降低明显,但电致变色循环稳定性更好。结论 WO_3薄膜疏松多孔的非晶结构能提供更多的离子(电子)注入和传输通道,电致变色性能更好,但疏松多孔结构循环稳定性较差。致密的晶体结构因通道闭合,离子(电子)不易注入和传输,电致变色性能较差,但致密结构循环稳定性较好。 相似文献
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目的 研究离子束清洗活化和直流磁控溅射工艺参数对聚酰亚胺-铝薄膜光电性能的影响,确定最佳的制备工艺参数.方法 单一改变离子束活化工艺参数(离子源功率、气体流量和走带速率)和磁控溅射控制参数(真空度、离子能量、离子束流、温度、气体流量、走带速率及走带张力),研究薄膜吸收率、附着力和薄膜外观变化规律.借助扫描电镜、光学仪器和电磁信号测试设备,对最佳工艺条件下制备的薄膜的形貌、透过率、电磁信号衰减频率进行了测试.结果 在离子源功率为1260 W、气体流量为120 mL/min、走带速率为0.3 m/min,镀膜辊温度为10℃,溅射功率为10000 W的条件下,制备的聚酰亚胺-铝光电屏蔽膜太阳吸收率最小为0.09,膜层附着力强,没有异常放电现象,表面光滑.铝在微观状态下呈现微小颗粒状态,表面致密.在0.4~14μm波段范围内,薄膜透射率<3.5%;在3~15 GHz频率范围内,薄膜电磁信号衰减率>30 dB.结论 通过直流磁控溅射技术制备的聚酰亚胺-铝光电屏蔽膜具有优异的光学性能和电磁屏蔽性能,在热控薄膜、屏蔽膜等领域具有广泛的应用前景. 相似文献
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