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1.
作者用辉光放电方法,基本上按照Ovshinsky等人报道的制备a-Si:F:H合金的工艺条件制得了a-Si:F:H合金薄膜.这种材料的含氢量远比a-Si:H合金材料为低.据初步测试结果,这种材料具有良好的光电导特性和热稳定性.目前,我们正在继续完善有关工作并将做具体报道.还将报道对a-Si:F:H材料用溅射方法制备的有关结果.  相似文献   
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