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Ag2O-Nb2O5-Ta2O5陶瓷系统(简称ANT)是一种新型的高频高介陶瓷材料,可 以在1150℃以下进行中温烧结.在本系统中,添加Na+离子置换ANT系统中的A位Ag+ 离子形成ANNT系统,通过XRD,SEM以及能谱分析发现,少量Na+添加,导致晶格参数下 降,即八面体空隙的体积将减小,从而抑制了Nb5+的松弛极化,有效地降低了ANT系统的 损耗因子,使系统的介电性能达到ε>500,tg δ≤5×10-4,容量温度系数αc=+12ppm/℃, ρv>1012Ω·cm. 相似文献
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利用先驱体NiNb2O6与MnNb2O6掺杂法改性BaTiO3系统。由于2种先驱体可以有效地起到展宽与移峰效应,使系统居里峰在室温附近取得最大值,在1290℃烧结时介电常数达到5000以上,容量变化率ΔC/C≤±15%;在系统中加入适量助熔剂可以实现中温烧结(1150℃),介电常数大于3600,容量变化率ΔC/C≤±12%,满足X7R特性要求,可用于厚膜EMI滤波介质瓷料的制备。 相似文献
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