薄膜电致发光材料的研究进展

薄膜电致发光(TFEL)显示是一种对材料有着严格要求的比较复杂的光电子器件.该多层结构通常包括2个电极,2个绝缘层和1个半导体发光层.在介绍了薄膜电致发光器件结构及工作原理的基础上,重点介绍了红色、绿色、蓝色和白色发光材料的研究现状,并讨论了薄膜电致发光材料的发展趋势.     

反应溅射AlN的模拟

研究了用反应磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜。由于铝和氮化铝二次电子发射系数有很大的不同,导致制备时会在金属模式和化合物模式间出现一个很大的跃迁。为了准确描绘实验结果,建立了一个反应溅射模型。该模型以Berg在1988年提出的模型为基础,包括了靶上二次电子发射系数的变化。利用该模型能够预测溅射行为,计算结果与实测值相符。     

中频反应磁控溅射制备AlN薄膜的工艺研究

利用中频反应磁控溅射成功制备了AIN薄膜。研究了过程参数例如靶电流、溅射气压和氮浓度对AIN薄膜沉积速率和光学性能的影响规律。实验结果表明，在优化制备工艺的基础上，能够制备出具有优良光学性能（高折射率、低消光系数、高透射率）的AIN薄膜。     

反应溅射制备AlN薄膜靶中毒机制的研究

反应磁控溅射方法制备AlN薄膜是一种很普遍的方法,但采用该方法制备在衬底上形成符合计量比的AlN化合物时,在靶材表面也会形成该化合物。这就是所谓的靶中毒现象,该现象会导致溅射产额降低从而引起沉积速率下降,因此是一种不利的影响。为了调查靶中毒的机制,本文采用TRIDYN程序来研究制备AlN薄膜时靶表面化合物的形成过程。结果表明化学吸收和离子注入是中毒层形成的两个主要的机制,但是该两种机制对中毒贡献的程度是不同的。通常情况下可以只考虑离子注入机制。本文还讨论了减小靶中毒的措施,在低压下可以极大地降低靶中毒程度,但为了得到符合化学计量比的AlN薄膜,需要提高衬底和靶材的面积比。     

磁控溅射制备AlN薄膜的蒙特卡罗模拟

应用蒙特卡罗程序TRIM对Ar+轰击AIN的微观过程进行了模拟.对不同能量以及不同角度下Ar+轰击AlN引起的溅射产额进行了系统的研究.随着入射离子能量的逐渐增加,AlN的溅射产额呈上升趋势.AlN的溅射产额随入射角增加而逐渐升高,在75°左右达到峰值,超过75°后,溅射产额急剧下降.实验发现垂直入射时和斜入射时,Al和N两元素的分溅射产额的比值变化规律有着明显的不同.     

反应溅射AlN薄膜的动态特性

反应磁控溅射方法制备AlN薄膜是一种很普遍的方法,但采用该方法制备时,各个参数相互作用使过程复杂化.为了增强对该过程的理解,建立了反应溅射过程的动态模型.应用该模型分析了当氮流量增加或减少时,过程中的各个参数随时间变化的瞬态行为.计算出的溅射参数与实测值相符.模型清楚地表明,过程的初始状态对其动态行为有显著的影响.     

电子式互感器电磁兼容性能研究

随着现代科技的不断发展,人类的电子、电力技术已经有了质的飞跃,电子式互感器是目前监测电流的重要仪器。本文即是对电子式互感器电磁兼容性能进行的研究,为了提高这一装置的性能,提升其挂网运行的整体稳定性,按照国家标准规定对其就进行了强电磁干扰隔离开关容性试验,并且分析了该项实验的原理,并对各类试验研究结果进行相应的分析,以期能为相关工作提供参考。     

计算机网络防御政策探讨

现如今,计算机网络技术的飞速发展,给大家的生活、学习、工作等各个方面都带来了极大的方便,深入了我们生活的方方面面,给我们提供了大量的信息,它以其高效性、开放性以及自由性等特点为我们的交换信息和资源共享提供了极大的便利,使得我们快节奏的生活有了支持,而且也因此成了我们社会活动及日常生活不可或缺的一部分.不过在其中也当然就会在所难免的发生问题.因为网络作为一种开放性的平台,也呈现出它在安全方面的脆弱性,被一些别有用心的人,为了达到自己的私利所利用,这些人,或者以破坏别人的计算机系统为乐趣,或者以窃取他人的隐私资料为自己所用,给我们正常的社会秩序和安全带来极大的威胁,而这些人也就是我们所称作的"黑客".     

氮化铝薄膜发光性能研究进展

介绍了AlN薄膜物理性质及制备方法；综述了AlN薄膜作为薄膜电致发光（TFEL）器件发光层的研究现状；对AlN薄膜发光性能的应用前景做了展望。     

射频识别电子标签芯片的设计研究

随着现代科技技术的不断进步,电子设备产品的科技含量也在不断提升,射频设别技术是目前较为先进的信息识别技术之一,其主要被应用在物流、门禁、身份证、食品条码等多种中短距离识别领域。我国国内对于射频识别技术的应用和研究均处在起步阶段,各方面的技术均需要不断探索和完善。本文即是对现代射频识别电子标签芯片的设计进行分析,了解目前该项技术下电子标签芯片的主要结构,并对相关关键性模块的设计进行研究,以期能为相关工作提供参考。